HL-1M装置第一壁的硅化和锂涂覆

用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。这些处理进一步降低了硼化后装置的杂质和辐射功率损失，对氢有强抽气效应和低再循环特性，为多发弹丸注入、低混杂波电流驱动和长脉冲放电等物理实验取得重大成果提供了重要条件。

HL—1M装置第一壁的硅化和锂涂复

分别用１０％ＳｉＨ４＋９０％Ｈｅ辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法对Ｈ－１Ｍ装置的内壁进行了硅化和锂涂复，进一步降低了装置硼化后的杂质和辐射功率损失，对氢有强轴气效应和低再循环特性，为多发弹丸注入，低混杂波电流驱动等物理实验取得重大成果提供了重要条件。