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衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量:
3
1
作者
张丽平
张建军
+2 位作者
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220...
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
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关键词
氢化微晶硅锗
薄膜
衬底温度
光、暗电导率
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职称材料
微晶硅锗薄膜作为近红外光吸收层在硅基薄膜太阳电池中的应用
被引量:
5
2
作者
曹宇
薛磊
+3 位作者
周静
王义军
倪牮
张建军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第14期209-216,共8页
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构...
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构随Ge含量的演变.研究表明:提高Ge含量可以增强μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜的吸收系数.将其应用到硅基薄膜太阳电池的本征层中可以有效提高电池的短路电流密度(J_(sc)).特别是在电池厚度较薄或陷光不充分的情况下,长波响应的提高会更为显著.应用ZnO衬底后,在Ge含量分别为9%和27%时,μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池的转换效率均超过了7%.最后,将μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池应用在双结叠层太阳电池的底电池中,发现μc-Si_(0.73)Ge_(0.27):H底电池在厚度为800 nm时即可得到比1700 nm厚微晶硅(μc-Si:H)底电池更高的长波响应.以上结果体现μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池作为高效近红外光吸收层,在硅基薄膜太阳电池中应用的前景.
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关键词
氢化微晶硅锗
近红外响应
硅
基薄膜太阳电池
等离子体增强
化
学气相沉积
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职称材料
题名
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量:
3
1
作者
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(No.2009AA05Z422)
天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.08JCZDJC22200)
科技部基础研究973项目(No.2006CB202602No.2006CB202603)
文摘
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
关键词
氢化微晶硅锗
薄膜
衬底温度
光、暗电导率
Keywords
hydrogenated microcrystalline silicon-germanium
substrate temperature
photo- and dark-conductivity
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
微晶硅锗薄膜作为近红外光吸收层在硅基薄膜太阳电池中的应用
被引量:
5
2
作者
曹宇
薛磊
周静
王义军
倪牮
张建军
机构
东北电力大学电气工程学院
南开大学电子信息与光学工程学院
东北电力大学化学工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第14期209-216,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:61377031
51442002
+1 种基金
61404073)
吉林省教育厅"十二五"科学技术研究项目(批准号:2015253)资助的课题~~
文摘
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构随Ge含量的演变.研究表明:提高Ge含量可以增强μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜的吸收系数.将其应用到硅基薄膜太阳电池的本征层中可以有效提高电池的短路电流密度(J_(sc)).特别是在电池厚度较薄或陷光不充分的情况下,长波响应的提高会更为显著.应用ZnO衬底后,在Ge含量分别为9%和27%时,μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池的转换效率均超过了7%.最后,将μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池应用在双结叠层太阳电池的底电池中,发现μc-Si_(0.73)Ge_(0.27):H底电池在厚度为800 nm时即可得到比1700 nm厚微晶硅(μc-Si:H)底电池更高的长波响应.以上结果体现μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池作为高效近红外光吸收层,在硅基薄膜太阳电池中应用的前景.
关键词
氢化微晶硅锗
近红外响应
硅
基薄膜太阳电池
等离子体增强
化
学气相沉积
Keywords
hydrogenated microcrystalline silicon germanium
near-infrared response
thin film silicon solar cell
plasma-enhanced chemical vapor deposition
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
下载PDF
职称材料
2
微晶硅锗薄膜作为近红外光吸收层在硅基薄膜太阳电池中的应用
曹宇
薛磊
周静
王义军
倪牮
张建军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
下载PDF
职称材料
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