1
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氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析 |
刘战辉
修向前
张李骊
张荣
张雅男
苏静
谢自力
刘斌
单云
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《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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2
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氢化物气相外延生长GaN膜性质研究 |
刘战辉
张李骊
李庆芳
修向前
张荣
谢自力
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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3
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氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算 |
刘战辉
修向前
张荣
谢自力
颜怀跃
施毅
顾书林
韩平
郑有炓
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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4
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GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作 |
卢佃清
修向前
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《物理实验》
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2006 |
2
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5
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一种垂直递变流速氢化物气相外延(HVPE)反应腔流场分析及大尺寸材料生长 |
李成明
苏宁
李琳
姚威振
杨少延
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《真空》
CAS
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2021 |
1
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6
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含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长 |
于广辉
雷本亮
孟胜
王新中
林朝通
齐鸣
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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7
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用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究 |
俞慧强
修向前
张荣
华雪梅
谢自力
刘斌
陈鹏
韩平
施毅
郑有炓
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《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
0 |
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8
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Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展 |
张嵩
程文涛
王健
程红娟
闫礼
孙科伟
董增印
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2022 |
0 |
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9
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氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展 |
张育民
王建峰
蔡德敏
徐俞
王明月
胡晓剑
徐琳
徐科
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《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
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2020 |
4
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10
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载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响 |
杨丹丹
徐永宽
张嵩
程红娟
李晖
徐所成
史月增
徐胜
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《天津科技》
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2012 |
0 |
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11
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AlN单晶氢化物气相外延生长技术研究进展 |
张电
朱容昕
杨晓凤
刘一军
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《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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12
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立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究 |
赵传阵
修向前
张荣
谢自力
刘斌
刘占辉
颜怀跃
郑有炓
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《中国科学(G辑)》
CSCD
北大核心
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2010 |
3
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13
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采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜 |
雷本亮
于广辉
孟胜
齐鸣
李爱珍
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《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
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14
|
氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究 |
张李骊
刘战辉
修向前
张荣
谢自力
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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15
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HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 |
林郭强
曾一平
段瑞飞
魏同波
马平
王军喜
刘喆
王晓亮
李晋闽
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2008 |
1
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16
|
GaN基材料及其外延生长技术研究 |
刘一兵
黄新民
刘国华
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《微纳电子技术》
CAS
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2008 |
6
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17
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HVPE外延GaN膜中黄带的光致发光激发谱研究 |
卢佃清
侯玉娟
陆金男
刘学东
张荣
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《物理实验》
北大核心
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2004 |
3
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18
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氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响 |
刘战辉
张李骊
李庆芳
修向前
张荣
谢自力
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
0 |
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19
|
HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响 |
张雷
邵永亮
吴拥中
张浩东
郝霄鹏
蒋民华
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2011 |
4
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20
|
ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响 |
王晓翠
杨瑞霞
王如
张嵩
任光远
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
|
2014 |
2
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