高能质子源靶用氢化铒薄膜制备过程影响因素

采用两步法制备了高能质子源靶用氢化铒薄膜。并研究了氢化时间、氢化速度等因素对氢化铒薄膜质量的影响。XRD结果显示,只有氢化时间超过24h才能获得较纯净的氢化铒薄膜。将氢化反应温度和氢气压力控制在适当范围内,使得铒薄膜缓慢被氢化并使得氢化过程所产生的应力缓慢释放,可获得较完整的氢化铒薄膜。所获得的5～15μm氢化铒薄膜已经应用于高能质子束的产生实验,取得了良好的实验结果。