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Pd掺杂SnO2纳米结构传感器制备与氢敏性能研究
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作者 吴晓萌 凌云汉 +3 位作者 廖俊生 朱小珊 智欣 白新德 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期431-435,共5页
以SnCl4·5H2O和PdCl2为原料,通过雾化热解方法制备原位Pd掺杂SnO2多孔纳米结构粉体,并通过涂覆形成薄膜传感器.利用XRD、FE-SEM对样品的结构和形貌进行表征,通过BET测定样品的孔径分布及比表面积.氢敏测试结果表明,Pd掺杂的SnO2薄... 以SnCl4·5H2O和PdCl2为原料,通过雾化热解方法制备原位Pd掺杂SnO2多孔纳米结构粉体,并通过涂覆形成薄膜传感器.利用XRD、FE-SEM对样品的结构和形貌进行表征,通过BET测定样品的孔径分布及比表面积.氢敏测试结果表明,Pd掺杂的SnO2薄膜气敏材料在低于150℃的操作温度下对质量浓度为10-4量级的H2显示出良好的气敏响应特性,这可能归因于粉体的多孔结构和Pd掺杂剂的催化效应. 展开更多
关键词 雾化热解 多孔SnO2 Pd掺杂 氢敏测试
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