含氢单晶硅的ESR面效应

电子自旋共振(ESR)实验结果确定:氢气区熔单晶硅的电子自旋总数随样品平均厚度的相对变化不是体效应,而是面效应.面效应的特点是当样品表面与磁场的央角在0°至140°范围内变化时,含氢硅的g 因子保持不变;在O°至±90°范围内ESR 信号强度由大变小,正负转向基本对称.由此推测:Si(H)/Si_2O_2界面中硅悬挂键的数量较少.并观测得:无论红外光照前或后,含氢硅的ESR 信号强度都不随微波功率饱和,并归因于自旋-自旋弛豫时间很小,约T_2=1.4×10^(-(?))秒.