SiN_xH_y/SiO_2氢离子敏器件及其特性

新型的氢离子敏器件采用 PECVD 法淀积含氢量较高的 SiN_xH_y 膜,同时作为敏感膜与二次钝化保护膜,改善了器件的密封性能.器件敏感灵敏度在56～60 mV/pH 之间,较 LPCVD 法淀积的 Si_3N_4 膜高14%.敏感灵敏度的线性度也有明显的改善.

氧化钨薄膜微型电化学器件的研究

本文论述了WO_3薄膜氢离子敏器件的结构、原理、制备技术和测试分析。利用WO_3薄膜在H+溶液中由绝缘转化为导电特性,成功地研制成氢离子敏器件。这是一种简易而经济的微型pH敏器件技术。