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功率器件IGBT氢缓冲层工艺及特性研究
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作者 刘建华 曹功勋 吴晓丽 《集成电路应用》 2023年第6期57-59,共3页
阐述IGBT氢缓冲层的实验分析,包括退火工艺、退火温度、IGBT器件性能关系,工艺结构与IGBT器件的性能关系,借助SIMS测量方法分析氢缓冲层经过400℃退火条件后氢掺杂分布变化。
关键词 集成电路制造 IGBT 功率器件 氢缓冲层
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