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功率器件IGBT氢缓冲层工艺及特性研究
1
作者
刘建华
曹功勋
吴晓丽
《集成电路应用》
2023年第6期57-59,共3页
阐述IGBT氢缓冲层的实验分析,包括退火工艺、退火温度、IGBT器件性能关系,工艺结构与IGBT器件的性能关系,借助SIMS测量方法分析氢缓冲层经过400℃退火条件后氢掺杂分布变化。
关键词
集成电路制造
IGBT
功率器件
氢缓冲层
下载PDF
职称材料
题名
功率器件IGBT氢缓冲层工艺及特性研究
1
作者
刘建华
曹功勋
吴晓丽
机构
上海积塔半导体有限公司
出处
《集成电路应用》
2023年第6期57-59,共3页
文摘
阐述IGBT氢缓冲层的实验分析,包括退火工艺、退火温度、IGBT器件性能关系,工艺结构与IGBT器件的性能关系,借助SIMS测量方法分析氢缓冲层经过400℃退火条件后氢掺杂分布变化。
关键词
集成电路制造
IGBT
功率器件
氢缓冲层
Keywords
IC manufacturing
IGBT
power device
hydrogen buffer layer
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
功率器件IGBT氢缓冲层工艺及特性研究
刘建华
曹功勋
吴晓丽
《集成电路应用》
2023
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