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ZnO/SnO_2复合透明导电膜性能的研究 被引量:3
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作者 高哲 卢景霄 +3 位作者 陈庆东 刘玉芬 王子健 陈永生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期417-421,共5页
采用直流磁控溅射工艺在SnO2透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极。比较了具有不同ZnO厚度的复合膜氢轰击前后的光电性能,发现适当控制ZnO膜的厚度至关重要。研究了快速热退火(RTA)对... 采用直流磁控溅射工艺在SnO2透明导电玻璃上沉积一层ZnO膜,制备出ZnO/SnO2复合透明导电膜,作为硅薄膜太阳电池前电极。比较了具有不同ZnO厚度的复合膜氢轰击前后的光电性能,发现适当控制ZnO膜的厚度至关重要。研究了快速热退火(RTA)对薄膜的结构及光电性能的影响,发现400℃退火能够改善薄膜的光学性能。 展开更多
关键词 ZnO/SnO2复合膜 快速热退火(RTA) 氢轰击 透过率
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