a-Si:H薄膜光衰效应的研究

利用红外光谱 (IR)和氢释放谱相结合的方法 ,研究了a-Si:H的结构与其光衰效应的关系 ,结果发现 :随着Br含量的增加 ,IR谱中的 2 10 0cm-1峰以及H释放谱中的低峰逐渐减弱 ,以至完全消失 说明a-Si:H网络中的织构组织由于Br的掺入而逐渐消失 ,a-Si:H由均匀的Si-H组成 材料的光暗电导率比显著增加 ,达 5× 10 4,材料在 5 0 0℃以上基本无H释放 。