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AFM电场诱导氧化加工作用的分析
被引量:
1
1
作者
胡晓东
郭彤
+1 位作者
傅星
胡小唐
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期206-209,共4页
纳米加工技术是纳米器件研究的重要基础条件 ,纳米氧化结构则是纳米器件的重要组成部分。为了深化对AFM电场诱导氧化加工机理的理解 ,本文对Si表面的电场诱导氧化作用进行了实验研究 ,包括探针与样品之间实际电压的监测、不同掺杂Si材...
纳米加工技术是纳米器件研究的重要基础条件 ,纳米氧化结构则是纳米器件的重要组成部分。为了深化对AFM电场诱导氧化加工机理的理解 ,本文对Si表面的电场诱导氧化作用进行了实验研究 ,包括探针与样品之间实际电压的监测、不同掺杂Si材料加工门槛电压的分析及探针扫描速率对氧化物高度的影响。实验分析表明 。
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关键词
原子力显微镜
AFM
纳米加工技术
纳米器件
电场诱导氧化
门槛电压
氧化结构
氢钝化硅
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职称材料
题名
AFM电场诱导氧化加工作用的分析
被引量:
1
1
作者
胡晓东
郭彤
傅星
胡小唐
机构
天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期206-209,共4页
基金
教育部重点科学技术项目 (No.0 2 0 43 )
文摘
纳米加工技术是纳米器件研究的重要基础条件 ,纳米氧化结构则是纳米器件的重要组成部分。为了深化对AFM电场诱导氧化加工机理的理解 ,本文对Si表面的电场诱导氧化作用进行了实验研究 ,包括探针与样品之间实际电压的监测、不同掺杂Si材料加工门槛电压的分析及探针扫描速率对氧化物高度的影响。实验分析表明 。
关键词
原子力显微镜
AFM
纳米加工技术
纳米器件
电场诱导氧化
门槛电压
氧化结构
氢钝化硅
Keywords
nanodevice
field induced oxidation
atomic force microscope
threshold voltage
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AFM电场诱导氧化加工作用的分析
胡晓东
郭彤
傅星
胡小唐
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
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