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氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响 被引量:9
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作者 葛水兵 程珊华 +4 位作者 宁兆元 沈明荣 甘肇强 周咏东 褚君浩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B05期82-83,共2页
利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。... 利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 ZnO膜 基片温度 氧分压强
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