P型SnO TFTs制备及其电学性能研究

采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件。研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题。研究发现预溅射5 min、氧气比例为13%、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管。器件开关比可达到6.2×10~3,亚阈值摆幅为9.96 V·dec。通过延长退火时间至2 h,可以大幅提高线性区迁移率至1.61 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1),且亚阈值摆幅仅增大了0.54 V·dec。通过延长预溅射时间至8 min,可以大幅提高p型SnO薄膜晶体管的载流子迁移率,器件线性区迁移率为5.25 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1),饱和区迁移率为0.43 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1)。