厌氧—接触氧化渠—垂直潜流型人工湿地处理农村生活污水研究

选择厌氧—接触氧化渠—垂直潜流型人工湿地工艺处理农村生活污水,分析比较了各工艺段DO水平,接触氧化渠充氧效果明显。通过对COD、NH3—N和TP浓度及去除率的研究发现,厌氧池去除率较稳定,对各污染物去除率最高可达72%、49.54%和66.36%,接触氧化渠和人工湿地对各污染物也有较高去除率,但并不稳定。系统运行稳定后,出水水质整体可达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB 18918—2002)二级标准,部分时段可达一级B标准。

对氧化渠动力学的理论分析及公式推导

本文从动力学角度分析氧化渠内活性污泥及悬浮固体各组分性质,建立了物料平衡方程式,最终导出了氧化渠工艺设计计算公式——最小剩余污泥量临界污泥负荷率表达式。并对推导过程所涉及的条件及参数进行了必要的讨论及相关的试验分析。

氧化渠技术的新进展和成就

一、一般情况近十余年来,氧化渠技术受到愈来愈多国家的重视。它的发展很快,使用也愈来愈广泛。 1978年,美国环境保护局(EPA)发表了Ettlich的“氧化渠厂与城市废水次级和先进处理过程竞争的比较”报告书。指出,“

新型(ICC型)氧化渠简介

一、概述 近些年来,许多国家对氧化渠(OD)技术非常重视,特别是美国、丹麦、荷兰、日本等国家,技术进展较快,应用范围也愈来愈广泛。例如:荷兰,1978年的调查资料表明,在污水处理厂总数中OD法占45％;又如日本。

值得推广应用的氧化渠技术

OD法是一种经济、高效且简单的废水处理技术,很适合我国国情。但是目前国内应用这一技术的不多,对它亦未给以充分重视。本文介绍了OD技术的发展和现状简况,并与普通活性污泥法进行了比较,认为OD法是值得推广应用的一项技术。

有发展前景的氧化渠技术

氧化渠是五十年代开发应用的污水处理技术,随着处理水平的不断提高,近年来在不少国家得到了广泛的推广和使用。在实际应用中证明,它能适用于城市污水和工业废水处理等许多场合,不仅能有效地去除含碳有机物,也可有效地进行硝化、脱氮和除磷,目前处理规模已由中、小型向大型化发展。与其他一些生物处理法相比较,它操作管理简单,运行效果稳定,经济效益明显。不失为一种比较符合我国国情,有着发展前途的污水处理方法。

氧化渠技术进展

本文介绍了氧化渠技术的发展过程,各种氧化渠的构造、特点和效果;对氧化渠的曝气装置和氧化渠的净化机理作了较详细的介绍;并例举了应用实例。

渠式生物接触氧化法处理城市生活污水

河涌是广州的重要水系 .但由于城市的发展和污水处理的滞后 ,导致广州的所有河涌都受到严重的污染 .用渠式生物接触氧化反应器动态模拟河涌 ,对污水进行涌内处理的研究表明 ,距离长、截面大和逗留时间长的河涌进行构筑 ,悬挂填料和污水曝气处理 ,可以有效地处理城市污水 .连续运行 3个月 ,进水CODCr浓度 1 80mg·L- 1～ 4 5 0mg·L- 1范围 ,CODCr和BOD5的平均去除率分别为 88%、95 % .对氨氮和有机磷也有一定去除 ,进水总氮和总磷浓度分别为 1 5mg·L- 1～ 30mg·L- 1和 2 6mg·L- 1～ 4 1mg·L- 1时 ,平均去除率可分别达到 5 2 %和1 %

氧化渠低温污水生物处理技术的可行性研究

本文介绍了一种适应于低温污永生物处理的活性污泥工艺——氧化渠。借助于试验,证实了它在低温下具有较强的降解有机物的功能;从理论上分析了这一特殊功能产生的原因。通过与其它生物处理方法进行对比,说明了氧化渠这一延时曝气工艺所独具的特点;最后对它在低温污水生物处理领域的地位作了充分的肯定。

Effective Channel Length Degradation under Hot-Carrier Stressing

This article describes the effective channel length degradation under hot carrier stressing. The extraction is based on the IDs-Vcs characteristics by maximum transconductance （maximum slope of IDs ＆ VGS） in the linear region. The transconductance characteristics are determine for the several devices of difference drawn channel length. The effective channel length of submicron LDD （Lightly Doped Drain） NMOSFETs （Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） under hot carrier stressing was measured at the stress time varying from zero to 10,000 seconds. It is shown that the effective channel length was increased with time. This is caused by charges trapping in the oxide during stress. The increased of effective channel length （△Leff） is seem to be increased sharply as the gate channel length is decrease.