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金属氧化物异质结气体传感器气敏增强机理 被引量:23
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作者 唐伟 王兢 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1087-1104,共18页
金属氧化物异质结由于费米能级效应、不同组分之间的协同作用,常被用来提高电阻型金属氧化物半导体气体传感器的气敏特性。本文简述了近年来国内外金属氧化物异质结材料的类别,主要分为混合氧化物结构、层状结构、第二相粒子修饰结构、... 金属氧化物异质结由于费米能级效应、不同组分之间的协同作用,常被用来提高电阻型金属氧化物半导体气体传感器的气敏特性。本文简述了近年来国内外金属氧化物异质结材料的类别,主要分为混合氧化物结构、层状结构、第二相粒子修饰结构、一维纳米结构和核-壳结构;重点综述了金属氧化物异质结的气敏增强机理,包括异质结效应、协同效应、催化溢流效应、响应反型、载流子分离及微结构调控六大机理;分析了当前异质结气体传感器面临的瓶颈。最后对纳米异质结气体传感器的发展进行了展望,今后金属氧化物异质结气体传感器可以从明确异质结界面机理展开,这将为自下而上地设计出符合实际需要的气体传感器提供一定参考。 展开更多
关键词 金属氧化物异质结 协同效应 溢流效应 响应反型 载流子分离 构调控
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钙钛矿氧化物异质结的研究进展(英文)
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作者 王聪 金奎娟 +4 位作者 郭海中 吕惠宾 王灿 何萌 杨国桢 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2011年第3期137-144,共8页
在过去几年中,为了研究钙钛矿氧化物异质结的物性和潜在的应用前景,我们进行了许多探索。在本文中,我们总结了对钙钛矿氧化物异质结一些物理性质的理论描述,揭示了La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质结中发现的正磁电阻效应和横向光... 在过去几年中,为了研究钙钛矿氧化物异质结的物性和潜在的应用前景,我们进行了许多探索。在本文中,我们总结了对钙钛矿氧化物异质结一些物理性质的理论描述,揭示了La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质结中发现的正磁电阻效应和横向光电效应的物理起源。我们提出的理论模型将有助于理解界面对钙钛矿氧化物异质结各种性质的影响。 展开更多
关键词 钙钛矿氧化物异质结 正磁电阻 横向光电效应 界面
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钙钛矿氧化物异质结的光电特性研究进展 被引量:1
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作者 郭海中 陆珩 +4 位作者 金奎娟 吕惠宾 何萌 王灿 杨国桢 《物理》 CAS 北大核心 2010年第8期522-530,共9页
光与物质相互作用可以产生各种光学现象,其中光电效应是非常重要的现象之一.文中集中回顾了文章作者在钙钛矿氧化物异质结的光电效应研究中的进展.在钙钛矿氧化物异质结中,分别观测到了传统的纵向光电效应和反常的横向光电效应,并通过... 光与物质相互作用可以产生各种光学现象,其中光电效应是非常重要的现象之一.文中集中回顾了文章作者在钙钛矿氧化物异质结的光电效应研究中的进展.在钙钛矿氧化物异质结中,分别观测到了传统的纵向光电效应和反常的横向光电效应,并通过对含时的漂移-扩散方程的自洽求解,从理论上分别揭示了钙钛矿氧化物异质结纵向和横向光电效应的动态过程.文章首先介绍了钙钛矿氧化物异质结纵向光电效应的研究进展,接着概述了钙钛矿氧化物异质结横向光电效应研究的进展.最后对氧化物异质结的纵向和横向光电效应的潜在应用前景进行展望. 展开更多
关键词 光与物质相互作用 光电效应 钙钛矿氧化物异质结
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飞秒激光泵浦LaAlO_(3)/SrTiO_(3)异质结产生太赫兹波辐射 被引量:1
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作者 魏高帅 张慧 +5 位作者 吴晓君 张洪瑞 王春 王博 汪力 孙继荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期47-53,共7页
自铁磁金属在飞秒激光泵浦下的超快退磁效应发现以来,电子的自旋属性逐渐被应用于太赫兹电磁波的产生.利用逆Rashba-Edelstein效应产生太赫兹辐射首先在Ag/Bi界面得到证实,而LaAlO_(3)/SrTiO_(3)界面通过该效应产生直流的自旋-电荷转换... 自铁磁金属在飞秒激光泵浦下的超快退磁效应发现以来,电子的自旋属性逐渐被应用于太赫兹电磁波的产生.利用逆Rashba-Edelstein效应产生太赫兹辐射首先在Ag/Bi界面得到证实,而LaAlO_(3)/SrTiO_(3)界面通过该效应产生直流的自旋-电荷转换效率要高于Ag/Bi界面约一个数量级,但利用该结构转化自旋流来产生太赫兹的有效性尚待系统的研究.本文制备了NiFe/LaAlO_(3)//SrTiO_(3)(001)系列样品,在飞秒激光泵浦下观察到了太赫兹辐射的产生及其对磁场方向的依赖效应,并通过改变LaAlO;层的厚度验证了超扩散模型与光学传输模型的有效性,观察到了在LaAlO_(3)/SrTiO_(3)界面由于多次反射导致太赫兹波的减弱,为进一步优化太赫兹波的产生提供了实验和理论支持. 展开更多
关键词 太赫兹辐射 自旋流 逆Rashba-Edelstein效应 氧化物异质结
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VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒结构的室温NH_3敏感性能研究 被引量:4
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作者 梁继然 张叶 +2 位作者 杨然 赵一瑞 郭津榜 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1323-1329,共7页
以VO_2(B)纳米棒为内核,利用液相生长法制备了VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒,研究了ZnO生长溶液浓度对复合结构微观形貌和气敏性能的影响规律。采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对复合结构样品的微观形貌和结晶取向进行表征,并测试了复合... 以VO_2(B)纳米棒为内核,利用液相生长法制备了VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒,研究了ZnO生长溶液浓度对复合结构微观形貌和气敏性能的影响规律。采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对复合结构样品的微观形貌和结晶取向进行表征,并测试了复合结构对NH_3的敏感性能。实验结果表明,随着ZnO种子液浓度的增大,ZnO逐渐由纳米颗粒生长为纳米棒结构,当ZnO种子液浓度为0.01 mol/L时,ZnO呈棒状沿径向发散生长在VO_2(B)纳米棒表面,形成树枝状VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒结构,这一结构在室温下表现出对NH_3的高灵敏度和突出的选择性,其灵敏度最大可达5.6,对NH_3的响应时间最短仅为2 s。在室温下表现出的优良NH_3敏感性能,主要与高密度的VO_2(B)/ZnO异质结和树枝状结构有关。研究结果为低功耗高灵敏度NH_3气敏传感器的研制提供了重要依据。 展开更多
关键词 VO2(B)纳米棒 ZNO纳米棒 金属氧化物异质结 氨气传感器
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一种64 GBaud双通道差分线性跨阻放大器 被引量:1
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作者 林少衡 《光通信研究》 2023年第6期57-63,共7页
【目的】针对400 Gbit/s双偏振(DP)-16正交幅度调制(QAM)相干光接收机应用的核心线性跨阻放大器(TIA)实现问题。【方法】文章基于先进锗硅异质结双极型互补氧化物半导体(SiGe BiCMOS HBT)工艺实现了一种64 GBaud双通道差分线性TIA。芯... 【目的】针对400 Gbit/s双偏振(DP)-16正交幅度调制(QAM)相干光接收机应用的核心线性跨阻放大器(TIA)实现问题。【方法】文章基于先进锗硅异质结双极型互补氧化物半导体(SiGe BiCMOS HBT)工艺实现了一种64 GBaud双通道差分线性TIA。芯片核心由两路完全相同的信号放大通道组成,以输入放大相干接收的I和Q分量。信号放大通道电路采用全差分电压并联负反馈结构作为核心TIA,采用两级差分可变增益放大器(VGA)级联结构实现进一步信号放大,单端输出阻抗50Ω的电流模逻辑(CML)缓冲器作为输出级。在输入两端,分别引入了独立的直流恢复(DCR)环路以消除输入信号直流分量及差分输出直流失调,并引入了全差分直流失调消除(DCOC)以消除工艺失配产生的输出直流失调,提高电路线性度。为了提高输入动态线性范围,引入了自动增益控制(AGC)电路以自动根据输入信号强度调节TIA跨阻及VGA增益,避免信号饱和失真;为了优化输出阻抗匹配,减小静电放电(ESD)二极管寄生电容影响,输出级采用了三端口桥式-T网络(T-Coil)电感峰化负载结构,以改善输出回损,提高带宽。芯片采用先进SiGe BiCMOS HBT工艺设计制造,裸片尺寸为1.6 mm×1.8 mm,通道间距为625μm。芯片搭配结电容C_(pd)=50 fF的光电二极管(PD)及相干接收光路元器件封装成集成相干接收机(ICR)组件进行测试。【结果】封测结果表明,该芯片小信号跨阻增益为差分5 kΩ,3 dB带宽为32 GHz,总谐波(THD)小于2%,饱和输入功率达到3 dBm,整个芯片由3.3 V单电源供电,静态功耗仅为250 mW。【结论】芯片可用于64 GBaud的相干接收应用,配合DP-16QAM调制,可实现单波400 Gbit/s传输应用。 展开更多
关键词 64 GBaud 差分线性跨阻放大器 可变增益放大器 三端口桥式-T网络 锗硅异质双极型互补氧化物半导体
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基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究 被引量:1
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作者 舒斌 张鹤鸣 +1 位作者 任冬玲 王伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期397-401,共5页
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而... 提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性。结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS结构合理、器件性能提高。 展开更多
关键词 异质互补金属氧化物半导体场效应晶体管 应变SI 应变SiGe 垂直层叠
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Bacterial Cellulose Templated p-Co3O4/n-ZnO Nanocomposite with Excellent VOCs Response Performance 被引量:2
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作者 Ling-li Qi Chun-yan Zhong +5 位作者 Zan-hong Deng Tian-tian Dai Jun-qing Chang Shi-mao Wang Xiao-dong Fang Gang Meng 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第4期477-484,I0002,共9页
In this work,p-type Co3O4 decorated n-type ZnO(Co3O4/ZnO)nanocomposite was designed with the assistance of bacterial cellulose template.Phase composition,morphology and element distribution were investigated by XRD,SE... In this work,p-type Co3O4 decorated n-type ZnO(Co3O4/ZnO)nanocomposite was designed with the assistance of bacterial cellulose template.Phase composition,morphology and element distribution were investigated by XRD,SEM,HRTEM,EDS mapping and XPS.Volatile organic compounds(VOCs)sensing measurements indicated a noticeable improvement of response and decrease of working temperature for Co3O4/ZnO sensor,in comparison with pure ZnO,i.e.,the response towards 100 ppm acetone was 63.7(at a low working temperature of 180℃),which was 26 times higher than pure ZnO(response of 2.3 at 240℃).Excellent VOCs response characteristics could be ascribed to increased surface oxygen vacancy concentration(revealed by defect characterizations),catalytic activity of Co3O4 and the special p-n heterojunction structure,and bacterial cellulose provides a facile template for designing diverse functional heterojunctions for VOCs detection and other applications. 展开更多
关键词 Bacterial cellulose HETEROJUNCTION Metal oxide composite ZNO Gas sensor
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Ultrawide-bandgap(6.14 eV)(AlGa))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)heterostructure designed by lattice matching strategy for highly sensitive vacuum ultraviolet photodetection 被引量:2
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作者 Yuqiang Li Dan Zhang +4 位作者 Lemin Jia Siqi Zhu Yanming Zhu Wei Zheng Feng Huang 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第12期3027-3036,共10页
One judiciously designed strategy of utilizing an ultrathin but conductive Ga_(2)O_(3):Si nanolayer to prepare(AlGa)_(2)O_(3)crystalline film is demonstrated.Benefiting from the existence of Ga_(2)O_(3):Si nanolayer,a... One judiciously designed strategy of utilizing an ultrathin but conductive Ga_(2)O_(3):Si nanolayer to prepare(AlGa)_(2)O_(3)crystalline film is demonstrated.Benefiting from the existence of Ga_(2)O_(3):Si nanolayer,a high-quality(Al_(0.68)Ga_(0.32))_(2)O_(3)sesquioxide film with 68 at.%aluminum was epitaxially grown on sapphire substrates,which was characterized by high-resolution transmission electron microscopy,X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction.Its bandgap was broadened to 6.14 eV,and a vacuum ultraviolet(VUV)(AlGa)_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3):Si photodetector was subsequently fabricated.The detector exhibits a pretty high on-off ratio of about 10^(3),an open-circuit voltage of 1.0 V and a responsivity of 8.1 mA W^(-1) at 0 V bias voltage.The performances imply that the proposed strategy is valuable for improving the quality and also adjusting the bandgap of(AlGa)_(2)O_(3)sesquioxides,which is expected to facilitate their application in VUV photodetection. 展开更多
关键词 (AlGa)_(2)O_(3) ultrawide bandgap vacuum ultraviolet photovoltaic detector
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Study of doping effect,phase separation and heterojunction in CMR manganites 被引量:2
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作者 YANG Jie SUN YuPing 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2013年第1期85-98,共14页
Mixed-valence manganites have attracted considerable research focus in recent years not only because of the potential application of colossal magnetoresistance(CMR) in magnetic devices,but also because of many intrigu... Mixed-valence manganites have attracted considerable research focus in recent years not only because of the potential application of colossal magnetoresistance(CMR) in magnetic devices,but also because of many intriguing physical properties observed in these materials.Doping elements at A-site can alter the filling of 3d Mn band and the tolerance factor.Therefore the hole-and electron-doped CMR manganites exhibit a rich phase diagram.In addition,more theoretical and experimental results suggest that phase separation is a critical factor for the understanding of CMR phenomena.Recently,there is an increasing interest in the fabrication and investigation on manganite-based heterojunction,which demonstrated excellent rectifying property,large MR,and photovoltaic effect. 展开更多
关键词 Colossal magnetoresistance phase separation manganite-based heterojunction
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