28 nm多晶硅侧墙孔洞缺陷检测与改善方案研究

针对28 nm技术节点产品发生的多晶硅侧墙孔洞缺陷,探索建立了全新的缺陷检测流程。应用光学检测系统,建立了多晶硅侧墙孔洞缺陷的在线监控指标,并据此评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测流程进行了创新:通过失效分析结果,推论了缺陷的失效机理与模型,按照此模型,建立全新的缺陷检测流程,应用光学扫描系统建立了缺陷的在线监控指标,被用于在线缺陷改善。根据实验结果,进一步验证了缺陷形成的机理。通过优化氮化硅沉积厚度以及去除时间,优化氧化物沉积工艺条件等,使缺陷问题得到解决。创新的缺陷检测流程为缺陷检测带来了便利,针对原本处于多晶硅侧墙上无法被检测的孔洞缺陷,建立了全新的监控指标。缺陷在线监控指标的建立为在线工艺改善提供了依据,与良率测试结果相比,加快了先进制程产品的研发进度。