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氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
1
作者
朱韬远
李志伟
+2 位作者
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空...
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
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关键词
氧化硅水平隧穿结电子源
片上微型
电子
源
微型真空
电子
器件
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职称材料
基于氧化硅隧穿电子源的高压力微型电离真空传感器
2
作者
杨威
詹芳媛
魏贤龙
《真空与低温》
2022年第4期438-444,共7页
微型电离真空传感器在微小空间和特殊范围的压力探测中有着非常重要的应用。然而,之前的微型电离真空传感器存在或体积大或工作电压高或能耗高等缺点。以新型氧化硅隧穿电子源为阴极制备了一种高压力微型电离真空传感器,该传感器结构紧...
微型电离真空传感器在微小空间和特殊范围的压力探测中有着非常重要的应用。然而,之前的微型电离真空传感器存在或体积大或工作电压高或能耗高等缺点。以新型氧化硅隧穿电子源为阴极制备了一种高压力微型电离真空传感器,该传感器结构紧凑、加工简单、体积微小,仅为15 mm×15 mm×2 mm(长×宽×高),工作电压低、探测量程宽、探测压力上限高。实验结果显示,传感器在3.50×10^(-2)~1.02×10^(2) Pa压力范围内具有很好的线性响应。研究为解决传统电离真空传感器和皮拉尼真空传感器在此压力范围内探测不准确的问题提供了一种可行的方案,有望推动电离真空传感器在更多重要领域应用。
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关键词
电离真空传感器
氧化硅
隧
穿
电子
源
高压力
微型化
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职称材料
题名
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
1
作者
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
机构
北京大学电子学院纳米器件物理和化学教育部重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
基金
国家自然科学基金项目(62350040)
国家重点研发计划项目(2019YFZ0210201)。
文摘
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
关键词
氧化硅水平隧穿结电子源
片上微型
电子
源
微型真空
电子
器件
Keywords
Silicon oxide horizontal tunneling junction electron sources
On-chip micro-electron sources
Micro-vacuum electronic devices
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于氧化硅隧穿电子源的高压力微型电离真空传感器
2
作者
杨威
詹芳媛
魏贤龙
机构
北京大学电子学院纳米器件物理和化学教育部重点实验室
出处
《真空与低温》
2022年第4期438-444,共7页
基金
国家重点研发计划(2017YFA0205003、2019YFA0210201)
国家自然科学基金(11890671、11874068、62022007)。
文摘
微型电离真空传感器在微小空间和特殊范围的压力探测中有着非常重要的应用。然而,之前的微型电离真空传感器存在或体积大或工作电压高或能耗高等缺点。以新型氧化硅隧穿电子源为阴极制备了一种高压力微型电离真空传感器,该传感器结构紧凑、加工简单、体积微小,仅为15 mm×15 mm×2 mm(长×宽×高),工作电压低、探测量程宽、探测压力上限高。实验结果显示,传感器在3.50×10^(-2)~1.02×10^(2) Pa压力范围内具有很好的线性响应。研究为解决传统电离真空传感器和皮拉尼真空传感器在此压力范围内探测不准确的问题提供了一种可行的方案,有望推动电离真空传感器在更多重要领域应用。
关键词
电离真空传感器
氧化硅
隧
穿
电子
源
高压力
微型化
Keywords
ionization vacuum sensor
SiO_(x)-based tunneling electron source
high pressure
miniaturized
分类号
TB772.3 [一般工业技术—真空技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
基于氧化硅隧穿电子源的高压力微型电离真空传感器
杨威
詹芳媛
魏贤龙
《真空与低温》
2022
0
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职称材料
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