具有SiO_2绝缘层的硅基聚酰亚胺电容式湿度传感器的特性研究

传统夹层聚酰亚胺电容式湿度传感器在亚胺化过程中感湿膜会因挥发物产生微孔,对这种传感器的成品率造成很大影响。为此,从元件的结构入手,制作Si-SiO2-PI结构的湿度传感器,对该种传感器的特性进行了测试,并与传统夹层式结构的样品进行了对比。研究表明,Si-SiO2-PI结构的湿度传感器在同等测试条件下,其电容值要比传统结构样品高25%,湿度灵敏度达到1.24 pF / %,具有重复性好和一致性高的优点,并且特别利于克服薄膜孔洞和厚度不均匀造成的短路现象,有利于批量生产。

基于磁控溅射的Pt/PtRh高温薄膜热电偶传感器集成工艺

Pt/PtRh为高温薄膜热电偶敏感材料,Al_(2)O_(3)和SiO_(2)为复合绝缘层材料,采用磁控溅射法成功制备Pt/PtRh薄膜热电偶及Al_(2)O_(3)/SiO_(2)复合型上下绝缘层,并通过掩膜-沉积法实现薄膜热电偶图案化制备。结果表明:制备的复合绝缘层Al_(2)O_(3)/SiO_(2)能够有效保证高温薄膜热电偶传感器在1200℃高温下的绝缘性和化学稳定性。Pt/PtRh热电偶阵列精度达到200μm,可在1200℃下稳定工作超过2200 min,经过4000 min升降温循环测试后,热电偶输出热电动势偏差小于1%。热电偶传感器整体厚度小于20μm,集成于合金与热障涂层之间的热电偶在高温服役环境下可稳定工作并测量合金表面温度。多层结构的样件在服役测试中无分层、脱落现象,热电偶稳定输出信号。

谈谈MOS集成电路使用中的注意问题

MOS集成电路由于具有电路简单,功耗低,输出系数大,便于集成等优点,发展十迅速。尤其在大规模和超大规模CMOS集成组件方面,已经越来越多地得到应用。因此,了解MOS电路使用中的注意问题和正确使用方法是非常必要的。