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在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷(英文)
被引量:
1
1
作者
张映斌
张世纬
+1 位作者
张斐尧
衣冠军
《电子工业专用设备》
2003年第4期21-24,共4页
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息。例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;...
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息。例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;只有在先进的检测设备下才可见的轻微、连续的划伤与与研磨剂有关。对常见缺陷进行分类,并提供一些可见的缺陷产生机制,同时也讨论了如何通过日常检测来监视真正产品上的缺陷。
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关键词
氧化膜chp
缺陷
划伤
超大规模集成电路
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职称材料
题名
在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷(英文)
被引量:
1
1
作者
张映斌
张世纬
张斐尧
衣冠军
机构
中芯国际
出处
《电子工业专用设备》
2003年第4期21-24,共4页
文摘
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息。例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;只有在先进的检测设备下才可见的轻微、连续的划伤与与研磨剂有关。对常见缺陷进行分类,并提供一些可见的缺陷产生机制,同时也讨论了如何通过日常检测来监视真正产品上的缺陷。
关键词
氧化膜chp
缺陷
划伤
超大规模集成电路
Keywords
Oxide CMP
Defect
Scratch
VLSI/ULSI
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷(英文)
张映斌
张世纬
张斐尧
衣冠军
《电子工业专用设备》
2003
1
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