期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷(英文) 被引量:1
1
作者 张映斌 张世纬 +1 位作者 张斐尧 衣冠军 《电子工业专用设备》 2003年第4期21-24,共4页
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息。例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;... 在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息。例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;只有在先进的检测设备下才可见的轻微、连续的划伤与与研磨剂有关。对常见缺陷进行分类,并提供一些可见的缺陷产生机制,同时也讨论了如何通过日常检测来监视真正产品上的缺陷。 展开更多
关键词 氧化膜chp 缺陷 划伤 超大规模集成电路
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部