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氧化钒薄膜的厚度对薄膜电学特性的影响
被引量:
3
1
作者
魏雄邦
吴志明
+3 位作者
王涛
许向东
唐晶晶
蒋亚东
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期122-124,共3页
利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的S(i100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜。用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试。采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性...
利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的S(i100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜。用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试。采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性有很大的影响。实验结果表明氧化钒薄膜的厚度调整可作为调控氧化钒薄膜性能的一种重要工艺手段。
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关键词
氧化钒薄膜厚度
光谱式椭偏仪方阻方阻温度系数
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职称材料
题名
氧化钒薄膜的厚度对薄膜电学特性的影响
被引量:
3
1
作者
魏雄邦
吴志明
王涛
许向东
唐晶晶
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期122-124,共3页
基金
教育部新世纪优秀人才支持计划资助(NCET-04-0896)
文摘
利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的S(i100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜。用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试。采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性有很大的影响。实验结果表明氧化钒薄膜的厚度调整可作为调控氧化钒薄膜性能的一种重要工艺手段。
关键词
氧化钒薄膜厚度
光谱式椭偏仪方阻方阻温度系数
Keywords
vanadium oxides, thickness of thin film, spectroscopic ellipsometer, square resistance, temperature coefficient of square resistance
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化钒薄膜的厚度对薄膜电学特性的影响
魏雄邦
吴志明
王涛
许向东
唐晶晶
蒋亚东
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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职称材料
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