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Ta_2O_5与Nb_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响
被引量:
12
1
作者
孟凡明
傅刚
+1 位作者
胡素梅
陈志雄
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期1496-1499,共4页
研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的圆片试样,各组分摩尔量分别为:x=0.000 75,y=0;x=0.000 375,y=0.000 375及x=0,y=0.000 75.采用电流-电压...
研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的圆片试样,各组分摩尔量分别为:x=0.000 75,y=0;x=0.000 375,y=0.000 375及x=0,y=0.000 75.采用电流-电压、电容测量、阻抗分析和势垒高度测量等实验手段,分析了Ta2O5和Nb2O5的作用机理.结果发现,x=0.000 75的样品显示出最低的压敏电压梯度(E10 mA=7.9 V/mm)和最大的表观介电常数(εra=5.88×104),y=0.000 75的样品显示出最高的压敏电压梯度(E10mA=48.9 V/mm)和最小的表观介电常数(εra=1.39×104).这表明,掺Ta2O5可有效地降低压敏电压,提高介电常数.
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关键词
氧化钛基压敏陶瓷
压敏
电压
非线性系数
电容量
晶粒电阻
半导体
下载PDF
职称材料
题名
Ta_2O_5与Nb_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响
被引量:
12
1
作者
孟凡明
傅刚
胡素梅
陈志雄
机构
安徽大学物理与材料科学学院电子材料研究室
广州大学固体物理与材料研究实验室
茂名学院技术物理系
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期1496-1499,共4页
基金
安徽省教育厅科研基金
文摘
研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的圆片试样,各组分摩尔量分别为:x=0.000 75,y=0;x=0.000 375,y=0.000 375及x=0,y=0.000 75.采用电流-电压、电容测量、阻抗分析和势垒高度测量等实验手段,分析了Ta2O5和Nb2O5的作用机理.结果发现,x=0.000 75的样品显示出最低的压敏电压梯度(E10 mA=7.9 V/mm)和最大的表观介电常数(εra=5.88×104),y=0.000 75的样品显示出最高的压敏电压梯度(E10mA=48.9 V/mm)和最小的表观介电常数(εra=1.39×104).这表明,掺Ta2O5可有效地降低压敏电压,提高介电常数.
关键词
氧化钛基压敏陶瓷
压敏
电压
非线性系数
电容量
晶粒电阻
半导体
Keywords
Ceramic materials
Electric breakdown
Electric current carrying capacity (cables)
Electric properties
Titanium dioxide
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN379 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ta_2O_5与Nb_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响
孟凡明
傅刚
胡素梅
陈志雄
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
12
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职称材料
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