氧化铝陶瓷基板工艺研究

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺。研究了原料粒度分布对基板 微观结构的影响,用流延法制备了96％氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性 能,研究了基板生产过程中一些关键的因素。

96%氧化铝陶瓷基板的激光切割划片及工艺优化

介绍了激光氧化铝陶瓷基板划片的基本原理,由三维固体中的热传导微分公式描述激光与材料的热过程,对激光加工的氧化铝陶瓷基板表面的损伤阈值进行了计算分析。利用相干公司400 W的E400射频CO2激光器、IPG公司YLR-150/1500-QCW-AC 150 W准连续型光纤激光器搭建了激光加工平台,对1 mm厚度内的96%氧化铝陶瓷基板进行了切割和划片加工实验。实验中,通过在陶瓷基板表面涂抹吸收剂,利用氮气作为辅助气体,解决了光纤激光器在连续波模式下加工时由于氧化铝陶瓷高反特性出现的切割和划片断点问题。实验表明,当光纤激光器工作在准连续波模式时,实现了无需对陶瓷表面进行涂吸收剂处理,直接用空气作为辅助气体对1 mm厚度内96%氧化铝陶瓷基板的切割和划片。

河北中瓷开发出氧化铝新产品DBC

河北中瓷电子科技有限公司开发的氮化铝陶瓷基板具有高导热、高电绝缘、低介电、低热膨胀的特点，最近，中瓷公司开发出氮化铝DBC产品，其样品性能、可靠性等指标优异，尤其是其热导率大约是氧化铝陶瓷基板的十倍，热膨胀与硅芯片相当，是最为理想的有毒氧化铍替代产品。该产品正在量产过程中，不久将推向市场，为我国电力电子行业的发展，作出自己的贡献。

Al_(2)O_(3)陶瓷基板切割用金刚石划片刀选型方法研究——基于高斯过程回归模型

为改善Al_(2)O_(3)陶瓷基板切割过程中的背崩问题,通过选取金刚石划片刀划切过程中会对背崩产生显著影响的磨料粒度、磨料浓度、结合剂硬度和冷水槽数量等4个特征参数作为关键因子,将陶瓷基板背崩尺寸作为响应变量,利用正交试验设计在因子可行域内选择样本数据,并采用高斯过程回归模型进行建模,最后用粒子群算法进行寻优。结果表明:该方法对电镀结合剂金刚石划片刀选型有较好的指导意义,验证结果与算法寻优结果仅相差0.5μm。

凝胶铸技术在陶瓷成型应用中的新发展

凝胶铸模 (Gel -casting)是九十年代由美国橡树岭国家实验室提出的一种近净尺寸陶瓷成型技术。由于该方法制备的陶瓷坯体强度高、有机物含量较少 (2～ 4wt % )、工艺简便、可操作性强 ,因此得到广泛的研究与应用。本文综述了该技术在研究和应用上取得的新的进展。主要包括以下三个方面 :(1)克服凝胶铸过程中因氧阻聚而使与空气接触部分的坯体表面产生起皮剥落的现象。与国外采用氮气保护方法不同 ,现采用化学方法只须在浆料中加入少量添加剂就可达到此目的。 (2 )凝胶铸技术应用可从微米级、亚微米级陶瓷粉料的成型扩展到粗颗粒 (10 μm～ 10 0 0 μm)体系的陶瓷和高级耐火材料 ,已在氮化硅结合碳化硅 ,重结晶碳化硅等材料的成型制备中取得较好效果。 (3 )将凝胶铸与流延成型结合 ,发展了一种新的水基凝胶流延成型工艺 ,该方法可成型 0 .1～ 1.0mm厚各种陶瓷薄片 ,包括氧化铝陶瓷基板。

一种用于TDD通信模式的大功率射频开关

采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1～3GHz频带内插入损耗小于0.5dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45dB,尺寸为8mm×8mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用。