纳米银自组装多层膜修饰铟锡氧化物(ITO)电极的制备及电化学研究

用3-氨基-三甲氧基硅烷对铟锡氧化物(ITO)导电玻璃进行修饰,以4,4-联吡啶为桥连配体,用层层自组装法制备纳米银多层膜。应用原子力显微镜、紫外可见光谱对其表征。用循环伏安法初步研究了碘离子在电极上的电化学行为。结果表明:电极对碘离子有很好的电化学响应,碘离子在(2×10^(-5)～5×10^(-4))mol/L浓度范围内与氧化峰电流呈良好的线性关系,最低检出限5×10^(-6)mol/L,线性相关性系数:R=0.999 24。

直接电沉积金纳米粒子修饰氧化铟锡电极测定亚硝酸根

以电化学沉积法一步制得了金纳米粒子（GNP）修饰氧化铟锡（ITO）电极，采用紫外、扫描电镜及循环伏安法对GNP／ITO修饰电极进行了表征。结果表明，金纳米粒子在ITO电极表面呈球形，分布均匀无团聚，粒径约30nm。该修饰电极具有良好的电化学性能，在pH2．2的Na2HPO4-柠檬酸缓冲溶液中其氧化峰电流与NO2^-的浓度呈良好的线性关系，线性范围为5×10^-6～5．5×10^-4mol／L，线性回归方程为：i（μA）=1.07＋136C（mmol／L），相关系数r=0．9969；检出限可达1．0×10^-6mol／L。该修饰电极用于废水中NO2^-的测定，结果令人满意。

制备工艺对铟锡氧化物(ITO)粉末粒度的影响

以纯In,SnCl4.5H2O和盐酸为原料,采用络盐法制备了纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟和锡的络合盐——(NH4)2InCl5.H2O和(NH4)2SnCl6的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在;通过调节氯离子与铟离子的总浓度比(TCl/TIn)研究了络离子对ITO粉末粒度的影响,还系统地研究了沉淀剂的浓度、终点pH值、前驱体洗涤次数和煅烧温度对ITO粉末粒度的影响;通过XRD和激光粒度仪对所制粉体进行了表征。结果表明:当TCl/TIn=5,沉淀剂为20%的NH4HCO3溶液,终点pH值为6.0～7.0,前驱体的洗涤次数为6次,煅烧温度为700～800℃时所得ITO粉末粒度最佳。

利用钛保护层在ITO电极上直接制备大面积的超薄氧化铝膜(英文)

通过磁控溅射并引入钛保护层,利用在0.3mol·L-1硫酸中20V电压下二次阳极氧化,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上直接制备了超薄(约140nm,为阳极氧化前Al厚度的一半)、大面积(约4cm2)的多孔阳极氧化铝(AAO).扫描电子显微镜结果表明生成的微孔与衬底垂直,孔径和孔间距分别约为30和60nm.我们发现钛保护层的作用是提高了Al层的附着性并且防止ITO被腐蚀,在此体系中钛不能被其它的金属如铬、金、银或铜代替.紫外-可见光谱透过率结果显示在阳极氧化过程中Ti被氧化成为透明的TiO2,利用10-20nm的钛保护层以及二次阳极氧化过程,能够保证高透明度.在ITO上直接制备的这种透明、有序的AAO纳米结构在光子学、光伏领域和纳米制备等方面具有潜在应用.

大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展

氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。

络盐法制备纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末

以纯铟、SnCl4·5H2O为原料，采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148．5nm、粒径分布较窄、在800～3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90％以上的纳米晶铟锡氧化物（ITO）粉末．通过制备络合盐晶体（NH4）2InCl5·H2O和（NH4）2SnCl6，证实反应初始溶液中有络离子存在．研究了络离子本身以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮对ITO粒径的影响．用XRD、红外光谱仪和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征．结果表明：络离子浓度的增加有利于ITO粉末粒径的变小，分散剂的加入有利于ITO费氏粒度的减小．

铟锡氧化物(ITO)前驱体的相演变规律研究

采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶体的相演变规律进行了系统的研究。立方结构In(OH)3向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于150℃,在300℃左右转变完全并且表现为一种吸热行为。四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体转变起始于220℃并且终止于430℃。此外,四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体的转变包含2个子过程,一个表现为吸热行为的InOOH脱水过程,另一个表现为强烈放热行为的InOOH脱水产物向刚玉型结构ITO固溶体的转变过程。刚玉型结构ITO固溶体在空气中处于亚稳态,并且在加热的条件下可以转变为萤石型结构ITO固溶体。刚玉型结构ITO固溶体向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于578℃,在800℃以前转变终止并且表现为一种弱吸热行为。

分散剂对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响

以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的粒径逐渐变小;加入不同分子量的PEG配合使用有利于制备纳米级颗粒,加入PEG(10000∶6000=1∶1)作分散剂所制ITO粉末粒径为50～100nm。

普鲁士蓝/壳聚糖杂化膜修饰氧化锌球腔阵列/氧化铟锡电极制备及应用

用Langmuir-Blodgett技术制成了附着聚苯乙烯小球的氧化铟锡(InSnO)模板。将此模板水平置于由硝酸锌及柠檬酸组成的前驱体溶胶中,用溶胶-凝胶法制得氧化锌球腔阵列/氧化铟锡电极。采用电沉积法得到普鲁士蓝/壳聚糖杂化膜修饰的氧化锌球腔阵列/氧化铟锡电极。该电极在pH 7.0～8.0的溶液中具有良好的电化学活性,过氧化氢浓度在7.67×10-7～4.72×10-4mol.L-1范围内与相应的电流响应值呈线性关系,检出限(3S/N)为2.4×10-7mol.L-1。测定2.0×10-5mol.L-1过氧化氢溶液时,其相对标准偏差(n=10)为3.8%。

铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形成的影响

为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Al/8-羟基喹啉铝/铟锡氧化物/玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Auger能谱分析.结果表明,铟锡氧化物电极表面In向有机层内的扩散是产生微区高电场、从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素.

ITO替代品二氧化钛电极膜成功开发

神奈川科学技术学院（KAST）、旭硝子玻璃有限公司（AGC）、丰田合成（登田合成株式会社）以及东京大学联合组成的研究小组，成功开发出具有优异性能的氧化铟锡（ITO）膜层替代品——二氧化钛透明电极膜。

单分散纳米氧化铟锡粉末的水热合成

以金属铟和锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12h并经500℃煅烧2h得到了 粒径为70±10nm,比表面积为11 m2／g的高纯氧化铟锡(ITO)粉末.由SEM、激光粒度测试 仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻合,证明制备的粉末是单分散状态的.研究 还发现,提高铟锡初始浓度和氢氧化钠过量浓度均有利于小粒径单分散ITO粉末的制备,但 过高的氢氧化钠过量浓度会使粉末出现团聚.

水基溶胶凝胶法制备纳米氧化铟锡粉末

以In和SnCl4·5H2O为原料，聚乙二醇（平均分子量20000）为分散剂，控制溶胶．凝胶过程，在水溶液体系中应用无机物形成了稳定的溶胶凝胶。pH值易于控制，通过溶胶渗析（纯化去除Cl^-）、凝胶转化，得到了稳定的m（In）：m（Sn）=9：1铟锡混合溶胶。将转化后的溶胶在60℃真空干燥8～10h，得到干凝胶。将铟、锡氢氧化物水合凝胶在500℃煅烧，得到纳米ITO粉体。用TG、XRD、TEM、BET等检测技术对工艺过程和氧化铟锡的形貌、粒径进行了表征和分析。结果表明，当煅烧温度在500℃时，In，Sn（OH）3水合凝胶已完全转变成纯立方相In2O3，Sn^4＋离子镶嵌在In2O3的晶格中，SnO2的掺杂并未使粉末形成新的物相。最终得到了单相立方晶系的高纯氧化铟锡（ITO）粉末，颗粒呈球形，比表面积为50m^2/g，粒径尺寸在（15±5）nm。制备方法简化了工艺过程，反应条件温和，有潜在的工业应用价值。

氯离子与铟离子的总浓度比对铟锡氧化物前驱体(氢氧化物)粒径的影响

用络盐法制备了铟锡氧化物(ITO)纳米粉末．通过对铟和锡的络合盐[(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SNCl6]的制备研究,证实了反应初始溶液中络离子的存在．通过调节氯离子与铟离子的总浓度比研究了络离子对ITO前驱体(氢氧化物)粒径的影响．提出了络离子对纳米ITO粉末粒径的影响原理:络离子的存在,降低了反应初始溶液中游离In3+和Sn4+的浓度,有利于纳米级ITO粉末的生成．通过XRD和激光粒度仪对ITO前驱体(氢氧化物)进行了表征．

纳米氧化铟锡表面改性研究

在不同的分散体系中采用机械分散加超声波分散的方法对纳米氧化铟锡(ITO)粒子进行表面处 理,并采用TG-DSC,TEM对改性前后的ITO进行了分析和表征。结果表明:采用乙二醇为分散介质,加入偶 联剂(摩尔分数)KH570 1％或十八醇0.5％后,球磨15h和超声波处理30min可以使纳米ITO得到很好的 分散,纳米ITO表面改性效果好。

铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用

介绍了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜的特征，主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子、太阳能等领域的应用。

鲁米诺在氧化铟锡玻璃上的电聚合及电化学发光性能研究

研究了鲁米诺在氧化铟锡(Indiumtinoxide,ITO)玻璃上的电聚合。通过循环伏安和紫外吸收光谱表征,在酸性条件下可以实现鲁米诺对ITO电极的电聚合修饰,聚合在ITO玻璃表面的鲁米诺保持其良好的电化学发光性能,考察了此修饰电极的性能以及相关因素对聚合膜的电化学发光强度的影响。

细胞色素C_(551)在ITO电极上的直接电化学

在不加任何电子转移促进剂的条件下，用循环伏安法（ＣＶ）和微分脉冲伏安法（ＤＰＶ）观察到细胞色素Ｃ５５１在ＩＴＯ导电玻璃上的直接电化学行为．结果显示电极反应过程为准可逆性质．计算得到细胞色素Ｃ５５１的扩散系数、式电位和异相电子转移标准速率常数，并对其在ＩＴＯ导电玻璃电极上的电子转移机制进行了初步分析．

氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性

氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应。研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响。在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响。

二氧化锡覆盖层对ITO透明导电薄膜热稳定性的改良

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明，在300~600 ℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO（SnO2/ITO）薄膜具有相对好的热学稳定性。在600 ℃退火后，ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3 Ω/□和2.5×10–3 Ω·cm，而此时，SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8 Ω/□和1.2×10–3 Ω·cm。最后，阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。