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有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响 被引量:3
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作者 吴捷 门传玲 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第6期44-47,共4页
使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响。实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大。此外,还研究了有源层厚度对器件... 使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响。实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大。此外,还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响。有源层厚度越大的器件,其阈值电压漂移也会越大。这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关。 展开更多
关键词 氧化铟镓 薄膜晶体管 有源层厚度 迁移率 氧空位 稳定性
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基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能 被引量:1
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作者 张奇 崔西会 +2 位作者 方杰 项徽清 刘建国 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1171-1175,共5页
薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件。微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注。基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材... 薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件。微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注。基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件。在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm^(2)/(V·s),开关电流比大于10^(8)。该迁移率与喷墨打印制备的IGZO-TFT器件的迁移率(1.41 cm^(2)/(V·s))相近,低于通过旋涂制备的器件迁移率(4.59 cm^(2)/(V·s))。这表明微笔直写技术是一种可行的薄膜晶体管增材制造技术。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 微增材制造 微笔直写 氧化铟镓有源层
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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管制备工艺及性能研究
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作者 刘丽 吕腾博 +2 位作者 刘嘉乐 程乾 王小力 《物理与工程》 2024年第3期178-185,共8页
本文介绍了利用射频磁控溅射技术在氧化硅衬底上制备非晶氧化铟镓锌(a-IGZO)薄膜,对溅射的薄膜进行了不同条件下的特性分析,制备成a-IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT),并分别研究了溅射气氛、有源层厚度和退火工艺对器件电学性能的影响。实... 本文介绍了利用射频磁控溅射技术在氧化硅衬底上制备非晶氧化铟镓锌(a-IGZO)薄膜,对溅射的薄膜进行了不同条件下的特性分析,制备成a-IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT),并分别研究了溅射气氛、有源层厚度和退火工艺对器件电学性能的影响。实验表明,当使用50W的溅射功率时,溅射过程中补充氧气,可以填补材料的深能级氧空位缺陷,提高了器件性能。但氧气浓度过大也会造成吸附氧等受主缺陷增多,更易发生载流子的散射,实验中采用氩氧比为Ar∶O2=24∶1.2的条件器件性能较好。其次,当有源层厚度控制在40~50nm时,器件性能较好,且40nm的薄膜性质更佳。最后,高温退火工艺可以改善薄膜的缺陷,消除薄膜内部原有应力。相比氮气退火条件,将薄膜在空气下退火可以实现更好的电学特性,将40nm的薄膜在空气下400℃退火30min,a-IGZO TFT的性能达到最佳,其迁移率为15.43cm^(2)/(V·s),阈值电压为13.09V,电流开关比为7.3×10^(8),为将来制备晶圆级的高迁移a-IGZO TFT奠定了基础。 展开更多
关键词 铟镓氧化 薄膜晶体管 磁控溅射 有源层厚度 退火
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非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计
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作者 江舒 张天昊 +2 位作者 魏晓敏 李梁栋 董承远 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1182-1191,共10页
薄膜晶体管(TFT)反相器的稳定性问题是影响其在玻璃上系统(SOG)显示技术等领域中实际应用的重要挑战。本文基于实验数据提取了非晶铟镓锌氧TFT器件仿真模型,拟合并得到了其阈值电压变化幅度(ΔVTH)与电压偏置时间的拉伸指数方程。在此... 薄膜晶体管(TFT)反相器的稳定性问题是影响其在玻璃上系统(SOG)显示技术等领域中实际应用的重要挑战。本文基于实验数据提取了非晶铟镓锌氧TFT器件仿真模型,拟合并得到了其阈值电压变化幅度(ΔVTH)与电压偏置时间的拉伸指数方程。在此基础上,探究了传统伪CMOS反相器的电学稳定性随偏置时间的变化规律,并提出了一种改进的TFT反相器电路,对其进行管宽调节并设计了物理版图。改进型反相器通过延迟输出级下拉管的开启使输出高电平值接近电源电压,增加了18.47%。通过反馈缓解其阈值电压漂移所导致的等效电阻增大对输出级电流的影响,显著提高了其速度稳定性。在电压偏置时间为2.56×10^(7)s时,其上升时间的变化率只有4.09%,远低于传统伪CMOS反相器的296.11%。 展开更多
关键词 反相器 薄膜晶体管 稳定性 非晶铟镓 玻璃上系统
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采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 被引量:7
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作者 詹润泽 谢汉萍 董承远 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期55-58,共4页
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比... 采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/V.s,开关比为4.53×105,在正向偏压应力测试下,阈值电压的漂移量为4.49V。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 透明电极 非晶铟镓氧化
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铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善 被引量:3
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作者 宁洪龙 胡诗犇 +9 位作者 朱峰 姚日晖 徐苗 邹建华 陶洪 徐瑞霞 徐华 王磊 兰林锋 彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期65-71,共7页
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu... 在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2μm)、更低的接触电阻(~1072Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求. 展开更多
关键词 高导互联 非晶氧化铟镓 薄膜晶体管 铜-钼源漏电极
原文传递
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究 被引量:3
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作者 陆清茹 李帆 黄晓东 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第4期480-483,共4页
基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在... 基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在波长分别为660、450和405nm三种激光照射下的阈值电压Vth分别为4.2、2.5和0V,均低于无激光时的4.3V,且器件的阈值电压随激光波长减小单调降低,此外,随着激光波长的下降,'明/暗'电流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V条件下),光敏响应度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW,可见激光波长越短,可获得更强的光电效应,光灵敏度也更高,该效应表明该器件在光电探测等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 非晶铟镓氧化 薄膜晶体管 光敏特性
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非晶铟镓锌氧化物薄膜的制备及其在薄膜晶体管中的应用 被引量:1
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作者 李光 郑艳彬 +1 位作者 王文龙 姜志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期106-110,共5页
非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,作为一种新型透明氧化物半导体材料,最近引起了广泛关注。这主要是由于它优异的性能可以使它作为薄膜晶体管的有源层材料,在显示行业有巨大的应用前景。本文首先介绍了铟镓锌氧化物的结构,同时综述了非晶... 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,作为一种新型透明氧化物半导体材料,最近引起了广泛关注。这主要是由于它优异的性能可以使它作为薄膜晶体管的有源层材料,在显示行业有巨大的应用前景。本文首先介绍了铟镓锌氧化物的结构,同时综述了非晶铟镓锌氧化物薄膜的制备方法,包括溅射、悬涂和喷墨印刷技术;最后对基于铟镓锌氧化物薄膜晶体管背板技术的产业化进行了展望。 展开更多
关键词 非晶铟镓氧化 薄膜 溅射 悬涂 喷墨印刷
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氧化锌薄膜晶体管应力稳定性及电性能优化
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作者 肖朋 《传感器技术与应用》 2024年第6期828-838,共11页
随着信息技术进步,显示技术正朝高分辨率、大柔韧性和低能耗发展。ZnO TFT因高透明度、良好环境稳定性和潜在高迁移率,被视为下一代显示技术关键材料,但应力稳定性问题限制了其应用。本研究针对ZnO TFT的应力稳定性与电学性能优化展开,... 随着信息技术进步,显示技术正朝高分辨率、大柔韧性和低能耗发展。ZnO TFT因高透明度、良好环境稳定性和潜在高迁移率,被视为下一代显示技术关键材料,但应力稳定性问题限制了其应用。本研究针对ZnO TFT的应力稳定性与电学性能优化展开,旨在通过材料设计、制备工艺及表征技术揭示关键影响因素,并提出改善策略。同时,探索In掺杂对ZnO TFT电学性能的调控机制,以获得高性能TFT器件。这不仅有助于理解ZnO TFT物理机制,也为推动其在柔性显示等领域的应用提供理论支撑和实验依据。本研究综述了ZnO TFT的研究背景,阐述了TFT结构、机制及性能指标,采用磁控溅射、光刻图案化等技术制备了ZnO和InZnO TFT器件,并利用多种表征手段全面分析了薄膜及器件性能。重点研究了氧含量、钝化层及In掺杂量对稳定性和电学性能的影响,揭示了相关机制,并成功制备了高性能TFT器件。最后,总结了研究成果,展望了ZnO TFT的未来发展方向,为相关领域研究提供参考。With the progress of information technology, display technology is developing towards high resolution, great flexibility and low energy consumption. ZnO TFT Due to high transparency, good environmental stability and potentially high mobility, but stress stability problems limit its application. This study aims to optimize the stress stability and electrical performance of ZnO TFT, and aims to reveal the key influencing factors through material design, preparation process and characterization technology, and propose improvement strategies. Meanwhile, the regulation mechanism of ZnO TFT electrical performance was explored to obtain high-performance TFT devices. This is not only helpful to understand the physical mechanism of ZnO TFT, but also provides theoretical support and experimental basis for promoting its application in flexible display and other fields. In this study, we summarized the research background of ZnO TFT, expounded the structure, mechanism and performance indexes of TFT, prepared ZnO and InZnO TFT devices by magnetron sputtering and lithography, and comprehensively analyzed the performance of thin film and device by various characterization methods. The effects of oxygen content, passivation layer and in doping on the stability and electrical properties are mainly studied, and the relevant mechanisms are revealed, and the high-performance TFT devices were successfully prepared. Finally, the research results are summarized and the future development direction of ZnO TFT is discussed, providing reference for research in related fields. 展开更多
关键词 氧化 薄膜晶体管 场效应迁移率 稳定性
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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究 被引量:1
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作者 高锦成 李正亮 +3 位作者 曹占锋 姚琪 关峰 惠官宝 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2946-2949,共4页
为优化金属氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层(Etch stop layer,ESL)结构的IGZO TFT,在2.5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O_2浓度、IGZO沉积后N_2O等离子体处理... 为优化金属氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层(Etch stop layer,ESL)结构的IGZO TFT,在2.5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O_2浓度、IGZO沉积后N_2O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N_2O/Si H4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压(Vth)的影响。实验结果表明:IGZO沉积过程中O_2浓度的增加、IGZO沉积后N_2O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的V_(th)正偏移。 展开更多
关键词 铟镓氧化薄膜晶体管 刻蚀阻挡层 N2O等离子体 阈值电压
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双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真 被引量:2
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作者 彭云霞 潘东 钟传杰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第2期88-93,共6页
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5... 采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。 展开更多
关键词 非晶铟镓氧化薄膜晶体管 器件模拟 态密度
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快速热处理方法对铟镓锌氧化物薄膜晶体管特性的改善 被引量:1
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作者 张鹤 王耀功 +2 位作者 王若铮 张小宁 刘纯亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期214-219,共6页
为了达到在短时间内提高铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)性能的目,本文提出了一种快速热处理(RTP)的后处理方法,并对其升温时间进行研究。实验结果表明RTP工艺能够在短时间内实现a-IGZO薄膜内部的缺陷复合与断键重连,提升a-IGZO薄... 为了达到在短时间内提高铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)性能的目,本文提出了一种快速热处理(RTP)的后处理方法,并对其升温时间进行研究。实验结果表明RTP工艺能够在短时间内实现a-IGZO薄膜内部的缺陷复合与断键重连,提升a-IGZO薄膜质量,从而提高a-IGZO TFT的器件性能。基于RTP工艺的a-IGZO TFT获得了良好的电学特性,其阈值电压与亚阈值摆幅低至0.2 V与0.31 V·decade-1,与未退火的a-IGZO TFT相比分别降低了67%与77%;其载流子迁移率与开关电流比高达8.7 cm2/Vs与7.8×106,与未退火样品相比分别提升了171%与1.1×103倍。与此同时,RTP的处理时间仅需不到5 min,大幅度缩短了a-IGZO TFT所需的后处理时间。 展开更多
关键词 铟镓氧化 薄膜晶体管 快速热处理
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二次大气退火对于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响
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作者 胡安琪 喻志农 +1 位作者 张潇龙 张世玉 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期769-772,共4页
介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅(~1.43V/decade)和更好的磁滞稳定性。通... 介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅(~1.43V/decade)和更好的磁滞稳定性。通过对比其他退火条件下的器件表现与工艺,发现在一次退火基础上增加的较短时间(30min)退火是这些显著提高的主要原因。这说明,在a-IGZO TFT进行了一次退火并冷却后,通过引入二次退火使得a-IGZO薄膜表面平整化和结构密实化,器件性能仍然有提高的空间。 展开更多
关键词 非晶铟镓氧化 薄膜晶体管 二次退火 亚阈值摆幅 磁滞稳定性
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具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型
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作者 赵金凤 杜孟君 +3 位作者 张冬利 王槐生 单奇 王明湘 《电子器件》 CAS 北大核心 2020年第5期953-958,共6页
本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依... 本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系。通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO)。研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证。 展开更多
关键词 漏端Offset 薄膜晶体管 非晶铟镓氧化 电阻 开态电流模型
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氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量:1
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作者 邵龑 丁士进 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期22-29,共8页
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和... 对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜. 展开更多
关键词 铟镓氧化 薄膜晶体管 氢元素杂质 电学可靠性
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射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管 被引量:5
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作者 信恩龙 李喜峰 +3 位作者 陈龙龙 石继锋 李春亚 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1149-1152,共4页
利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%... 利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%。将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(<200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0 cm2.V-1.s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2 V,亚阈值摆幅(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移。 展开更多
关键词 非晶铟镓薄膜 薄膜晶体管 场效应迁移率
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溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量:5
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作者 刘媛媛 赵继凤 +3 位作者 李延辉 宋淑梅 辛艳青 杨田林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期391-396,共6页
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效... 利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。 展开更多
关键词 溅射气压 铟锡氧化薄膜晶体管 磁控溅射 光学带隙
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双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性 被引量:3
18
作者 王聪 刘玉荣 +1 位作者 彭强 黄荷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期129-136,共8页
以环保可降解的天然生物材料制备功能器件越来越受到关注,利用天然鸡蛋清作为栅介质层,采用射频磁控溅射法在其上沉积ZnO薄膜有源层,制备低压双电层氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)并对其电学特性进行了表征,研究了器件在栅偏压和漏偏压应... 以环保可降解的天然生物材料制备功能器件越来越受到关注,利用天然鸡蛋清作为栅介质层,采用射频磁控溅射法在其上沉积ZnO薄膜有源层,制备低压双电层氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)并对其电学特性进行了表征,研究了器件在栅偏压和漏偏压应力下电性能的稳定性及其内在的物理机制。该ZnO-TFT器件呈现出良好的电特性,载流子饱和迁移率为5.99 cm^(2)/(V·s),阈值电压为2.18 V,亚阈值摆幅为0.57 V/dec,开关电流比为1.2×10^(5),工作电压低至3 V。研究表明,在偏压应力作用下,该ZnO-TFT器件电性能存在一定的不稳定性,我们认为栅偏压应力引起的电性能变化可能来源于栅介质附近及界面处的正电荷聚集、充放电效应和新陷阱态的复合效应;漏偏压应力引起的电性能变化可能来源于焦耳热引起的氧空位及沟道中的电子陷阱。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化 双电层 偏压应力 稳定性
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室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管 被引量:3
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作者 刘玉荣 黄荷 刘杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期917-922,共6页
为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征。该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅... 为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征。该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅电压为5 V、漏源电压为10 V时,器件的饱和漏电流高达2.2 m A;有效场效应饱和迁移率高达107 cm^2/(V·s),是目前所报道的室温下溅射法制备ZnO TFT的最高值,亚阈值摆幅为0.28 V/decade,开关电流比大于107。利用原子力显微镜(AFM)对NbLaO和ZnO薄膜的表面形貌进行了分析,分析了器件的低频噪声特性,对器件呈现高迁移率、低亚阈值摆幅以及迟滞现象的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化 磁控溅射 高迁移率
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氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文) 被引量:2
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作者 马仙梅 杨小天 +10 位作者 朱慧超 王超 高文涛 金虎 齐晓薇 高博 付国柱 荆海 马凯 常遇春 杜国同 《电子器件》 CAS 2008年第1期115-116,共2页
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。
关键词 氧化 薄膜晶体管 MOCVD
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