CeO_2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

研究了 Ce O2 作为高 K (高介电常数 )栅介质薄膜的制备工艺 ,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用 N离子轰击氮化 Si衬底表面工艺对 Ce O2 薄膜的生长及其与 Si界面结构特征的影响 ,利用脉冲激光淀积方法在 Si(10 0 )衬底生长了具有 (10 0 )和 (111)取向的 Ce O2 外延薄膜 ;研究了 N离子轰击氮化 Si衬底表面处理工艺对 Pt/ Ce O2 / Si结构电学性质的影响 .研究结果显示 ,利用 N离子轰击氮化 Si表面 /界面工艺不仅影响 Ce O2 薄膜的生长结构 ,还可以改善 Ce O2 与

埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究

超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求．本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究，讨论了时间传递扩展（ＴＴＳ）和峰值响应时间（ｔＭ）．超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加，薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高，但光电子的时间响应因增加而会变差．本文以Ａｇ－Ｏ－ＣＳ薄膜为例，计算了不同情况下光电子从Ａｇ超微粒子穿过Ｃｓ２Ｏ半导体层跃迁到真空的时间响应，得到该薄膜在１．０６μｍ红外光作用下，光电子的时间响应约５０ｆｓ．