不同形貌Co3O4对氧化锌压敏电阻器电性能的影响

为了提高氧化锌压敏电阻的电性能,本文通过一系列测试研究针状和球状Co3O4对压敏电阻器电性能的影响。Co作为改性元素,对提高压敏电阻器的电性能起着重要作用。本文所用的Co由化学共沉淀法制备,针状Co3O4采用99.7%的草酸溶液和分析纯的Co(NO3)2制备而成,球状Co3O4采用食品级的碳酸氢铵和分析纯的Co(NO3)2制备而成。研究发现,掺杂针状Co3O4制成的压敏电阻器在8/20μs波通流能力和工频过电压耐受性能方面优于掺杂球状Co3O4的压敏电阻器。

氧化锌压敏电阻器工频过电压耐受性能与限制电压关系的研究

对氧化锌压敏电阻器的限制电压和工频过电压耐受时间的试验测试,结果表明,相同型号的氧化锌压敏电阻器,其限制电压越高,则耐受工频过电压的时间越长。所以在限制电压满足要求的情况下,适当提高限制电压,可提高氧化锌压敏电阻器的工频耐受性能。同时为工频线路中合理选用氧化锌压敏电阻器提供一定的参考。

低电压氧化锌压敏电阻器

叙述了压敏电阻器的特性、微观结构、导电机理。分析了实现低电压氧化锌压敏电阻器的方法———增大氧化锌半导体瓷晶粒直径和压制厚度很薄的氧化锌半导体瓷片。探讨了低压氧化锌独石型、薄膜体型压敏电阻器的主要特性和其制造工艺的关键技术。

烧成气氛对氧化锌压敏电阻器电性能的影响

在氧化锌压敏电阻器Zn-Bi系配方中,根据电性能的需要几乎均存在着大量的低熔点物质,如Bi2O3、Sb2O3、B2O3等,在高温烧结过程中,由于低熔点物质的挥发,造成产品性能的劣化。本文通过对烧成气氛的研究,提出了解决该问题的方法。

电负荷对氧化锌压敏电阻器电容量的影响

电容量作为氧化锌压敏电阻器的一项性能指标,已经在GJB1782A-2015《压敏电阻器总规范》和GB/T10193-1997《电子设备用压敏电阻器第1部分:总规范》中,以标准形式确定为压敏电阻器的考核内容之一。在检测工作中发现,无论是脉冲负荷还是直流负荷,电负荷作用前后压敏电阻器的电容量的变化都比较大,同时在电负荷作用后的不同时刻测试电容量,会得到不同的结果,然而标准中并未对电负荷后电容量测试的恢复时间作出具体的规定。因而,研究了脉冲负荷和直流负荷对氧化锌压敏电阻器电容量的影响,并根据测试结果,提出了电负荷后电容量测试的具体恢复时间。

氧化锌压敏电阻器的工频过电压(TOV)特性

本文就氧化锌压敏电阻器的工频过电压特性(以下称TOV特性)的重要性、正确表征和影响因素展开讨论。提出TOV特性应以TOV幅值及对应的耐受时间来表述,称为TOV耐受时间特性,作为给SPD应用的氧化锌压敏电阻器的设计应用资料,则应提供两个数据,一是TOV耐受时间特性,二是暂态过电压施加时温度随时间变化数据。氧化锌压敏电阻器的TOV耐受时间特性,直接与耐受TOV能量的能力以及TOV工作区(1mA～10A)V-I特性曲线相关,制约耐受TOV能量的能力的因素,是配方与工艺引起的晶相差异和结构的均匀性,以及热稳定性。TOV工作区(1mA～10A)V-I特性曲线,除了受配方与工艺影响外,还受工作历史的影响。电阻体均匀性好的TOV特性好,而TOV工作区(1mA～10A)V-I特性曲线非线性差或电压正温度数引起加载TOV时电流变小,可以提高TOV耐受时间。

防爆型氧化锌压敏电阻器的研究开发

在氧化锌压敏电阻器连续负荷下的击穿瞬间,陶瓷基片会穿孔熔化,其中心温度将高达1000℃以上,而外窜火苗会将压敏常规环氧树脂包封层点燃并穿透,导致压敏电阻器烧毁.本研究在压敏电阻器外部加上阻燃等级为V0级防爆外壳,其间充满耐高温阻燃材料,可以有效阻断火苗,即使内部压敏电阻器失效,也会被密闭在外壳内.当压敏电阻器遭遇远超过其承受能力的雷击或操作过电压而发生炸裂时,填充的阻燃材料会吸收爆炸应力,防爆外壳仍然完整,不会造成外部电路的损坏.

低压氧化锌压敏电阻器

该电阻器是低压电器、晶体管和电子元件过压保护的重要元件。技术方研制出的样品经多个单位测试和试用，其非线性系数高、泄漏电流小、残压比小、通流量大、性能稳定可靠，有显著的耐浪涌特性、限压特性和过压保护特性。该产品采用传统的陶瓷工艺制作，工艺简单成熟，容易操作。试生产结果表明，产品的一致性好、成品率高、成本低、

高能氧化锌压敏元件研究

为了提高ZnO压敏元件的通流能力,采用化学共沉淀法制得含七种组分的复合添加剂。用此复合添加剂、ZnO、SiO2及Al(NO3)3的混合溶液,经球磨后,制成φ10mm×1mm氧化锌压敏元件。通过TEM和粒度测试,分析了复合添加剂的尺寸和晶粒的均匀性,并对元件的微区成分和性能进行了测试。结果表明:采用化学共沉淀法制备的复合添加剂粉体粒径小,在元件中的分布较传统方法均匀;用该添加剂制备的氧化锌压敏元件的2ms方波通流能力超过705J/cm3,是传统方法的两倍多。

ZnO压敏电阻器性能的改进

为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用共沉淀法制得含五种添加剂的复合添加剂。用该复合添加剂、ZnO、Sb2O3及Al(NO3)3溶液混合球磨后的粉体制成氧化锌压敏电阻器。通过TEM和粒度测试,分析了复合添加剂的尺寸和微观结构,并对电阻器的性能进行了测试。结果表明:采用化学共沉淀方法制备的复合添加剂粉体粒径小,活性大。用该添加剂制备的氧化锌压敏电阻器的通流能力,较传统工艺提高35%,其漏电流约为0.1μA,非线性系数为53。

8/20脉冲对ZnO压敏电阻器工频耐受性能的影响

通过试验,分析了8/20脉冲次数及电流峰值对ZnO压敏电阻工频耐受性能的影响。在脉冲次数及电流峰值不同的情况下,电阻体内部发生结构性变化,导致其工频耐受性能发生变化。当脉冲电流峰值未超过某一临界值时,工频耐受时间随着冲击次数的增加而延长,超过此临界值时,工频耐受时间随着冲击次数的增加而缩短;在8/20脉冲次数一定的条件下,工频耐受时间也随电流峰值的递增呈现先延长后缩短的趋势。

氧化锌非线性电阻的特性方程

为了寻找一个能满足工程计算要求的氧化锌非线性电阻的伏安特性方程,对其电阻特性进行了研究,结果发现这种元件的电阻与电流之间有着确定的数量关系,可用"欧安特性方程"来表述。由欧安特性方程推导得到的伏安特性方程能满足工程计算的要求,已成功地应用于新特性产品的开发和浪涌过电压保护设计计算。此外还介绍了非线性电阻器一些特有的物理现象。

片式ZnO压敏电阻器印叠工艺对通流容量的影响

通过印叠工序中,内电极烘干温度与烘干时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器通流容量的影响.结果表明:烘干温度与烘干时间分别为70℃与2～4 h时,产品的通流容量最大.

叠层片式ZnO压敏电阻器及其在ESD保护中的应用

介绍叠层片式ZnO压敏电阻器的性能特点和应用范围,论述了其对电路进行ESD保护的基本原理及其在高频线路中的最优化设置,指出其发展方向应为低电容和超低电容化。

氧化锌非线性电阻的工频特性

用数字存储示波器记录了氧化锌非线性电阻器（MOV）在工频恒压源和恒流源条件下的电压和电流波形，通过分析示波器的采样数据，揭示了氧化锌非线性电阻不同干线性电阻的多项特性，证明了现在普遍采用的几个测量MOV工频特性的方法，与MOV的实际特性并不相符合，为此，本文提出了新的测试方法。

同时提高ZnO压敏电阻器的静态性能及冲击性能的方法

以往用于提高 Zn O压敏电阻器 8/2 0通流容量的方法对其静态性能有不良影响 ,笔者介绍了一种能同时提高 Zn O压敏电阻器的静态性能及 8/2 0冲击性能的方法。该方法通过调整 Bi2 O3、 Mn CO3含量 ,降低 Zn O压敏电阻器陶瓷晶界易迁移离子 ,改善晶界结构 ,可以在提高 Zn O压敏电阻器通流容量的同时降低电位梯度 ,改善静态漏电流及压比。

添加MgSO_4对高压ZnO压敏电阻器小电流区温度稳定性的影响

研究了给高压氧化锌压敏电阻器配方中添加 Mg SO4对其漏电流温度稳定性的影响。同时 ,对 Mg SO4在高压氧化锌压敏电阻器陶瓷中的存在形式和显微结构以及对 Zn O晶界势垒的影响进行了简要分析。

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

介绍多层片式ZnO压敏电阻器的材料组成、电极材料、生产工艺及电性能,并与圆片引线型压敏电阻器进行了比较。多层片式ZnO压敏电阻器具有许多优点,如体积小、通流容量大,响应速度快,表面安装性好和实现低压化等,流延和电镀是多层片式压敏电阻器生产中比较重要的工艺。最后指出多层片式压敏电阻器的方向。

高山发射台防雷措施浅析

一、雷电的物理特性雷电是大气中巨大的静电放电现象。雷雨前,天空中带电的云叫作雷云,是产生雷电的根源。如果上空的雷云所带的是负电荷,则由于静电感应作用。

The dependence of sintering temperature on Schottky barrier and bulk electron traps of ZnO varistors

In order to investigate the influence of sintering temperature on the Schottky barrier and bulk electron traps of ZnO varis- tors, ZnO-Bi2O3 based varistor ceramic samples were sintered at 1000, 1100, 1200 and 1300℃, respectively. The measured results indicate that the sample sintered at 1300℃ possesses the lowest voltage gradient and nonlinear coefficient, compared with other samples. The barrier height of the samples decreased as the sintering temperature increased, which resulted in the deterioration of nonlinearity. Furthermore, two bulk electron traps determined by admittance spectroscopy were generally independent of sintering temperature, which indicated that these two traps might originate from the intrinsic defects in ZnO lattice.