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MOCVD方法生长ZnO微米柱的结构与光学性质 被引量:3
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作者 魏志鹏 吕有明 +5 位作者 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期139-142,共4页
通过X射线衍射、扫描电子显微镜和变温光致发光光谱对MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上的ZnO微米柱材料的结构及发光特性进行了表征。X射线衍射结果表明,ZnO具有良好的c轴择优取向,扫描电子显微镜图中可观察出ZnO微米在呈六角结构生长,半径... 通过X射线衍射、扫描电子显微镜和变温光致发光光谱对MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上的ZnO微米柱材料的结构及发光特性进行了表征。X射线衍射结果表明,ZnO具有良好的c轴择优取向,扫描电子显微镜图中可观察出ZnO微米在呈六角结构生长,半径约为0.5~1.5μm。样品的发光光谱通过He-Cd激光器的325 nm线激发,从光谱中发现低温(81 K)下出现极强的与激子相关的带边发光峰,温度升高到360 K时与自由激子相关的紫外发射峰仍然是清晰可见。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 氧化锌微米柱 X射线衍射 扫描电子显微镜 光致发光 半导体材料 禁带宽度
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