水热法制备氧化锌陶瓷粉体中的形态调制

水热条件下制备超细微晶是一个晶体生长的过程。本文根据晶粒形态与水热介质碱度强弱之间的关系，揭示了不同形态的ＺｎＯ的形成机理，实现了水热法氧化锌陶瓷微晶制备过程中的形态调控。

钐掺杂氧化锌陶瓷的晶体结构和电磁特性

以ZnO,Sm2O3粉体为原料,采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的Zn1-xSmxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)陶瓷样品.多晶X射线衍射分析结果表明:当Sm2O3的掺杂量x≥0.04时,过量或堆积的Sm与ZnO结合生成了锌钐尖晶石相ZnSm2O4.特别研究了样品Zn0.97Sm0.03O的表面形貌与成型压力之间的关系和晶粒尺寸、相对密度、电阻率随烧结温度的变化关系.结果表明:成型压力为5 MPa时样品缺陷最少,当烧结温度为1 300℃时,用四探针测试仪测得样品电阻率的最小值为4.78×10-2Ω.cm,用阿基米德排水法测得样品的相对密度超过95%;用振动样品磁强计(VSM)测量陶瓷样品磁化强度与磁场强度之间的关系,表明样品在室温下均呈现顺磁行为.

氧化锌陶瓷铌掺杂效应的低温导电特性研究

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性。结果表明:低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小;同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小。

一种新型电阻元件——氧化锌陶瓷电阻器

氧化锌陶瓷电阻器是由 ZnO 晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体,无高阻晶界层,具有线性的电压—电流特性,电阻率可调,电阻温度系数小且为正,耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻器的性能,以及性能与配方、工艺的关系,探讨了氧化锌陶瓷电阻器的微观结构和导电模型。

水热法制备氧化锌陶瓷粉料

本文通过水热法制备了ZnO粉体,着重研究了在水热条件下影响ZnO粉体晶粒粒度和形貌的主要原因。研究表明,在相同浓度条件下,反应温度越高,得到的晶粒越小;在同一反应温度下,浓度越大,晶粒越小。

制备工艺对氧化锌陶瓷超声性能的影响

本文研究了烧结温度和成型压力对氧化锌陶瓷密度及超声波传播速度的影响.试验结果表明,随着烧结温度提高,超声波在氧化锌陶瓷中的传播速度下降;随着成型压力增大,超声波在陶瓷中的传播速度呈上升趋势.

放电等离子烧结镓掺杂氧化锌陶瓷及其电学特性研究

采用放电等离子烧结（SPS）方法烧结出了致密的掺镓氧化锌陶瓷（0.075wt%GZO）。样品的烧结温度为950-1200℃,烧结时间为3-21 min,并对样品的物相、断口形貌、电学性能以及密度进行了测试和分析。结果表明,烧结条件对GZO的晶体结构没有影响,但是对样品的密度、晶粒尺寸、电阻率等性质有一定的影响。综合分析上述结果可得到用SPS方法烧结GZO陶瓷的最佳烧结工艺是烧结温度1100℃,烧结时间9 min。

热压烧结对氧化锌陶瓷性能的影响

采用相同的工艺制备了氧化锌(Zn O)陶瓷坯体,然后在1 140℃下常压和高压(20 MPa)烧结2 h形成压敏陶瓷块样品。为了比较烧结方式对Zn O压敏陶瓷的微结构和电学性质的影响,利用扫描电子显微镜观察了压敏陶瓷的微结构,并测试了Zn O压敏陶瓷的I—U和C—U曲线。结果表明,热压烧结得到的样品晶粒较小,析出相的含量较低。I—U曲线的测试也表明,热压烧结和普通烧结的Zn O陶瓷的电位梯度分别为5 230 V/cm和3 980 V/cm,非线性系数分别为32和19,说明热压烧结Zn O陶瓷的压敏性能得到了较大的提高。C—U曲线表明,压敏性能提高的机理是热压烧结导致Zn O晶粒内部的掺杂浓度大大提高,这也与观察到的微结构相吻合。

搅拌球磨机和压滤机在氧化锌陶瓷添加物制备中的应用

介绍国产搅拌球磨机和压滤机的结构原理。论述在氧化锌电阻片添加物制备过程取得良好效果的原因。提出国产搅拌球磨机和压滤机在氧化锌压敏电阻、热敏电阻、陶瓷电容器等电力、电子元器件制造业待推广应用 ,是提高我国电工。

氧化锌陶瓷的微观结构和物相转变

本文综述国外近十年来对ZnO非线性电租的微观结构和物相转变研究的概况和结果,阐述了ZnO陶瓷的微观结构与其电气特性的关系.

氧化锌陶瓷喷雾造粒工艺

本文介绍了闽清电瓷厂采用日本AD-0404N型压力式喷雾干燥器制备氧化锌粉体的工艺技术、最佳配方,并分析了各种影响因素。

用于直流可控硅断路器的氧化锌陶瓷能量吸收器的研究

描述了低压直流可控硅电力断路器的性能及整体尺寸.认为其性能和整体尺寸是由回路切断的方法而决定.氧化锌陶瓷能量吸收器除了用于传统的高速断路器外,还是一种高能灭弧器件.在JEC标准中规定了在灭弧过程中的耐压、切断时间、浪涌能量及其详细的参数值.用于研制样品的直流1500V-3000A可控硅断路器的每一个能量吸收器是由24个φ115mm、厚度15mm的氧化锌阀片组成,其吸收能力为400kJ.这些被组装的元件在吸能器和可控硅断路器中的性能以及分立元件的性能已通过验证.

钴掺杂对氧化锌(ZnO)压敏陶瓷的影响

钴(Co)作为添加剂对氧化锌(ZnO)压敏陶瓷微观结构和电性能有显著影响。采用传统固相烧结法,以ZnO-Bi_(2)O_(3)-Sb 2O_(3)-MnO_(2)-Cr 2O_(3)作为基础配方,分别掺杂了三氧化二钴(Co_(2)O_(3))和四氧化三钴(Co_(3)O_(4))来制备ZnO压敏陶瓷,并对比了两种掺杂下样品的微观结构和电学性能,发现掺杂Co_(2)O_(3)的样品平均晶粒尺寸大于掺杂Co_(3)O_(4)的样品。另外,掺杂Co_(3)O_(4)的ZnO压敏陶瓷样品具有较高的非线性系数51.40,较高的压敏场强338.29 V/mm,较低的漏电流密度1.33μA/cm^(2),以及较高的势垒高度0.69 eV,综合性能比较优异。因此,相较于Co_(2)O_(3),Co_(3)O_(4)可以更好地改善ZnO压敏陶瓷性能。

关于氧化锌非欧姆陶瓷老化机理的新见解

从可靠性基本理论出发,提出老化速率的概念,对老化试验数据进行处理,认为老化其实是一个磨合、逐渐稳定的过程,而非耗损过程。从电场作用下的离子迁移和热作用下的离子扩散联合作用的角度,可以解释荷电率和老化温度对老化速率的影响。

氧化锌压敏陶瓷几何效应的统计法研究

本文实验研究了ZuO压敏陶瓷击穿、非线性指数α和脉冲大电流冲击后击穿场强E1mA变化率的几何效应．对ZuO晶粒尺寸的统计分析表明它基本服从正态分布．建立了微观结构模型，计算机模拟得到的击穿几何效应规律与实验规律相同．临界厚度dc与方差σ2和平均晶粒尺寸μ的乘积成正比．

氧化锌压敏陶瓷烧结致密化过程的研究

本文研究了氧化锌压敏陶瓷的致密化过程，结果发现只有当烧结温度升高到一定值时，试样中的ＺｎＯ粉粒产生聚集，致密化过程才开始．致密化是瓷体获得稳定电性能的基础．低熔点添加剂Ｂ２Ｏ３可以降低致密化的起始温度，而致密化过程中的等温烧结对ＺｎＯ压敏陶瓷的最大密度几乎没有影响．

氧化锌压敏陶瓷击穿的几何效应与微观结构的关系

采用两面磨薄试样的方法，研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强Ｅ１ｍＡ与厚度的关系，得到了击穿场强Ｅ１ｍＡ随厚度变化的几何效应规律．利用光学显微方法，观测试样微观结构，并用ＺｎＯ晶粒长度的分散度和平均晶粒长宽比作为微观结构特征参数表征ＺｎＯ晶粒尺寸分布的不均匀性和形状的不规整性．研究表明，临界厚度ｄ０与ＺｎＯ晶粒尺寸的分散度成正比；斜率ｂ２与平均晶粒长宽比也成正比．建立了宏观电性能与微观结构特征参数的对应关系．

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，井着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。

氧化锌压敏陶瓷电阻片的电容对冲击破坏机理影响的研究探讨

探讨了氧化锌压敏陶瓷电阻片的电容在冲击破坏方面的作用,提出了两种冲击状态下的导通形式。

钛酸锶钡-氧化锌复合陶瓷的结构与介电性能

分别采用熔盐法和固相反应法预制的Ba0.85Sr0.15TiO3（BST）粉体,制备了BST-ZnO复合陶瓷。对陶瓷的晶相组成、微观形貌特征及介电性能进行了研究。结果表明,BST-ZnO复合陶瓷微观结构及介电性能受BST粉体性质的影响显著。以熔盐法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒显著长大,其εr可达104量级。而以固相反应法预制BST粉体时,陶瓷的ZnO晶粒较小。当r（BST：ZnO）=0.4时产生纤维状ZnO晶粒,并在16-20℃附近出现与BST材料相似的相变特征。