中子辐照对硅片表面氧化层错的抑制作用

对硅片表面氧化层错形成机理进行了探讨。并通过中子辐照在直拉硅中引入缺陷，利用辐照缺陷和硅中氧的相互作用，强烈抑制硅片表面氧化层错的产生。

牙本质不同表面处理联合Er:YAG激光蚀刻氧化错陶瓷对树脂粘接强度的影响

目的:研究对比不同牙本质表面处理方式联合餌激光蚀刻后的氧化错陶光粘接强度.为临床上提高牙本质和氧化错陶冕飽粘接强度提供参考。方法:随机把50个氧化错梵块随机平均分为A、B、C、D、E五组.毎组10个。A组:未处理資;块+未处理牙本质;B组:Er激光僅刻資.块+未处理牙本质;C组:Er激光性刻光块+35%磷酸凝胶酸蚀牙本质;D组:Er激光蚀刻冕块+17%EDTA处理牙本质;E组:Er激光蚀刻梵块+Er激光蚀刻牙本质;万能力学试验机測试各组树脂赭结后粘接强度。结果:B组粘接强度大于A组,且P<0.05.剩余三组粘接强度大小依次为C组、E组、D组,其中C组粘接强度明显高于其他组.且与其他组粘接强度差异具有统计学意义(P<0.05)。结论:磷酸酸蚀牙本质联合Er;YAG激光蚀刻氧化错査块粘接强度最高。

直拉硅中氧化诱生层错研究进展

硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量,要求对 OSF 有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了 OSF 的形成动力学、影响因素和检测方法,井指出:OSF 是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷。

300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响

采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加。这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大。

无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错

Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。

掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响

采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小,氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大。

立方氧化锆宝石研究

稳定立方氧化锆单晶体具有折射率高、色散强、硬度高和物化性能稳定等特点,酷似天然金刚钻,堪称人造宝石之冠。它与金刚钻同样具名贵感,但其价格仅后者的几千分之一。它是国际流行的装饰宝石。1.晶体生长:用冷坩埚壳熔法生长非金属晶体,感应加热非金属氧化物时。

含氧化锆的高温绝缘材料

一种局部稳定的氧化锆纤维的水溶性泥浆是在一个轴芯上用真空模塑成所需形状的,而这种模塑纤维中渗入了硝酸氧锆。所制成的构件烤干变硬,然后卸下轴芯,放进炉内,在空气中加热到大约600℃以除去硝酸盐,并将zrO离子氧化成ZrO2。

氧化铝陶瓷在医学上的应用

据报道,澳大利亚 TAYLOR 陶瓷工程公司(TAYLOR CERAMIC ENGINEERING)与悉尼的威尔士王子医院协作,使用了氧化铝陶瓷制成的骨修复装置。在过去三年中,澳研究人员在新南威尔士大学创伤和矫形外科 HUCKSTEP

氧化锆测试系统的应用

氧氩炉外真空精炼装置(即VOD),主要用于冶炼低碳、超低碳不锈钢、特殊低碳合金钢等。它是在一定的真空条件下,向钢水吹氧,使氧气和钢水里的碳产生剧烈反应,达到降低钢水含碳量的目的。而终点碳含量是VOD冶炼过程一个最重要的参数,因此,能否准确的测试和控制钢水的终点碳含量,对于提高VOD冶炼成功率和降低消耗具有重要的作用。为此。

水热法生产氧化锆系超微粒

受日本新技术事业团委托,秩父水泥公司研制成功“使用水热法制取氧化锆系超微粒技术”。在高温和高压下合成物质的水热法是生产高性能、高纯度氧化物系陶瓷的一种技术,这次开发成功在世界上尚属首次。由于烧结时的温度变化,氧化错微粉末的结晶构造会发生变化。

氧化锆氧量计探头的修复利用

概述 作为节能仪表的氧化锆氧量分析仪已广泛地用于我国冶金、化工、电力等各个领域。我厂是从1990年开始投入使用新型智能氧化锆氧量分析仪的,对锅炉燃烧设备在燃烧过程中所产生的烟气含氧量进行快速、正确的在线检测分析,从而保证了我厂锅炉实现低氧燃烧控制,在节能方面,起到了重要作用和较好的经济效益。

氧化物热电材料的研究进展

介绍了氧化物热电材料的研究现状及发展趋势,以及氧化物热电材料的特殊优点;同时对氧化物热电材料做了大致分类.深入介绍了关于错配层氧化物高热电势起因的最新研究成果;广泛介绍了perovskite结构氧化物的置换对热电性能的影响,探讨了其导电机理及热电势的可能起因.最后介绍了透明导电氧化物热电材料.

重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究

采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度。实验还发现,对于〈100〉重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液,而对于〈111〉重掺样品,未见明显差异。最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因。

CeO_2对Mg-PSZ陶瓷显微结构和相组成的影响

在氧化镁部分稳定氧化锆基质原料中加入不同含量的CeO2,研究烧结、热处理过程中(Ce,Mg)-PSZ显微结构和相组成的变化。结果表明:CeO2的加入可促进高温下Mg2+在固溶体中的扩散,避免MgO在晶界偏析,有利于晶界净化;随CeO2含量增加,烧结体中晶粒尺寸减小,四方析出体更为稳定,不规则形态的立方氧化锆晶粒和波浪式晶界明显增多。通过热处理,相邻立方晶粒中四方析出体相互交联,最终(Ce,Mg)-PSZ基体中的晶界消失,颗粒合并,析出体交联形成连续态网络结构。

共沉淀法制备t-ZrO_2/Al_2O_3纳米复合粉体研究

用NH4Al（SO4）2·12H2O、ZrOCl2·8H2O和NH4HCO3为原料，采用共沉淀法合成了t—ZrO2／Al2O3，纳米复合粉体，前驱体的制备温度以45℃为宜。反应物NH4HCO3／（Zr＋Al）摩尔比对反应中锆的沉淀率影响显著．前驱体经1100℃焙烧1h后出现t—ZrO2和γ—Al2O3的宽化衍射峰,t—ZrO2较均匀地分散于氧化铝中，两相晶粒大小都在10—20nm之间．样品进一步加热到1200℃时α—Al2O3相迅速生成并伴有部分晶粒融合发生．

ZrO2精细陶瓷材料湿法成型工艺概述

ZrO2具有熔点和沸点高、硬度大、常温下为绝缘体、而高温下为导体等良性质。在20世纪70年代出现了氧化锆陶瓷增韧材料，使氧化锆陶瓷材料的力学性能获得了大幅度的提高，极大的扩展了ZrO2在结构陶瓷领域的应用。本文主要介绍了论述了氧化锆精细陶瓷材料的湿法成型工艺的有关研究现状，分析了不同工艺方法的优缺点和应用领域。

一个新兴的产业——先进陶瓷粉末制备

原先陶瓷粉末制备属于陶瓷生产的一个组成部分,依附于陶瓷工业。自从陶瓷向先进陶瓷(也称精细陶瓷)发展后,对陶瓷粉末的要求日益增高,需要专门制备,于是从陶瓷工业中独立出来,成为一个新兴的产业。

ZrO_2氧传感器的研制

氧化锆氧敏元件由氧化锆管和金属电极组成.氧化锆管的制备,我们采用固相合成法.选定纯度为99.5%以上的ZrO2和纯度为99.8%以上的Y2O3（Y2O3占7～8mol%）,用球磨法充分混合,制成团块,经近1400℃稳定处理后,再球磨破碎成粉,加有机粘合剂,喷雾干燥,造粒,以1t/cm2等静压成型,在2000℃真空中煅烧3h而成.

硫酸化剂和制备方法对锆基固体酸催化剂的结构和性能的影响

采用沉淀法制备ZrO2氧化物,用氯磺酸和硫酸对其进行改性制备了Zr基固体酸催化剂,以XRD、BET和NH3-FTIR等手段考察了制备条件对催化剂晶相结构和表面性质的影响,研究了催化剂结构与其对棕榈油酯化反应的催化活性之间的关系。NH3-FTIR表明催化剂表面有B酸和L酸中心的生成。硫酸化剂的种类及其引入顺序都将影响催化剂的晶相结构和孔结构。酸的引入将阻止ZrO2.nH2O在焙烧时直接向单斜相ZrO2转变,氯磺酸将使ZrO2.nH2O转变为四方相ZrO2,而硫酸将导致四方相ZrO2和Zr(SO4)2.5H2O的生成。以氯磺酸改性的四方相和单斜相ZrO2基催化剂均具有很高的催化酯化活性,比硫酸改性的S-Z固体酸催化活性高。CS-ZrO2固体酸催化活性最高,在醇油比6:1、催化剂用量7 wt%、温度338 K和常压下反应2 h,棕榈油的酯化率可达98.9%。