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五甲川菁染料敏化p-NiO纳米结构电极的光电化学 被引量:6
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作者 张莉 高恩勤 +5 位作者 杨迈之 王艳芹 程虎民 蔡生民 孟凡顺 田禾 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第6期612-616,共5页
研究了NiO纳米结构电极及五甲川菁染料敏化NiO纳米结构电极的光电化学行为.结果表明,NIO纳米结构电极在光照下产生阴极光电流,为p-型半导体,其禁带宽度为2.8eV,使用五甲川菁染料敏化可以显著地提高NiO纳米结构电极的阴极光电流,使NiO纳... 研究了NiO纳米结构电极及五甲川菁染料敏化NiO纳米结构电极的光电化学行为.结果表明,NIO纳米结构电极在光照下产生阴极光电流,为p-型半导体,其禁带宽度为2.8eV,使用五甲川菁染料敏化可以显著地提高NiO纳米结构电极的阴极光电流,使NiO纳米结构电极吸收波长红移至可见光区,光电转换效率得到明显改善.研究了OTE/TiO_2/Ru(bpy)_2(SCN)_2和OTE/NiO/PMC作为光阳极和光阴极组成电池的电池特性,结果表明复合电池的光电压提高,但光电流的大小受光电流小的电极限制. 展开更多
关键词 染料敏化 光电化学 电池 氧化镍纳米结构电极
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