表面氧化外延制备钇系涂层导体隔离层

采用表面氧化外延 (SOE)方法 ,在金属基底上研制NiO隔离层。通过研究温度、时间等工艺参数对形成立方织构NiO的影响 ,摸索出一套可获得单一、尖锐的立方织构NiO ,重复性好 ,适合于长带发展的工艺技术。同时研究了金属基带的表面状态、织构取向对NiO( 10 0 )表面的影响。X射线极图观测可直观地看到单一的立方织构 ,φ扫描检测其半高宽 (FWHM )均为 7.5°。扫描电镜观察NiO( 10 0 )膜层表面形貌 ,无裂纹且较为致密。

氧化多孔硅隔离技术研究

我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.

氧化物隔离对Si基片上生长L1_0相FePt薄膜磁性的影响

用MgO和SiO_2两种氧化物将FePt薄膜与Si(100)基片隔离,分析隔离层在FePt层发生A1→L1_0转变过程中的作用,寻找用Si母材涂敷L1_0-FePt磁性层来提高磁力显微镜针尖矫顽力的合理方案.采用磁控溅射法在400?C沉积Fe Pt薄膜,在不同温度进行2 h的真空热处理,分析晶体结构和磁性的变化.结果表明:没有隔离层,Si基片表层容易发生扩散,50 nm厚FePt薄膜的矫顽力最大只有5kOe(1 Oe=10~3/(4π)A·m^(-1));而插入隔离层,矫顽力可以超过10 kOe;MgO在Si基片上容易碎裂,热处理温度不能高于600?C,用作隔离层,FePt的最大矫顽力为12.4 kOe;SiO_2与Si基片的晶格匹配更好,热膨胀系数差较小,能承受的最高热处理温度可以超过800?C,使得Fe Pt的矫顽力可以在5 kOe到15 kOe范围内调控,更适合用于制作矫顽力高并可控的磁力显微镜针尖.

一种全新的超高速双极ECL硅工艺—氧化物隔离等平面S(z)

氧化物隔离等平面S(z)工艺采用全离子注入工艺代替原始的扩散工艺,使得整个工艺流程更为简化,对于浅结工艺的重复性和均匀性均有较大提高。发射极条和基极条形成自对准,发射极四周靠墙。发射极条宽为3微米时,f_γ>3GHz。该工艺已应用于超高速双极ECL分频器中。

温度调控二氧化硅隔离生物质碳纳米片构建固体超强酸（英文）

随着现代化学工业的发展,能源短缺和环境污染成为当下所面临的两大严峻问题.酸催化是化学工业中生产各种燃料和化学品的关键转化技术之一,发展基于固体酸的高效、环境友好催化转化技术在当代绿色化工领域中占有十分重要的地位.其中基于资源丰富和可再生的生物质衍生的固体碳磺酸(BCSAs)因其价廉易得、在一些重要的酸催化反应中显示出比商业化磺酸树脂更优的性能而成为当前催化研究领域的热点之一.然而,传统的BCSAs存在不稳定的致密层状结构及相对低的酸强度、酸位可接近性和传质效率等天然缺陷,制约了这类价廉易得的固体酸在工业上的广泛应用.本论文以综合解决BCSAs的这些缺陷为目标,开展其结构重组工程(SRE)策略研究.该SRE策略使用廉价的竹粉和水玻璃为主要原料,竹粉首先通过水热催化炭化法转化为层状生物质碳(BC),然后将BC材料先后用十六烷基三甲基溴化铵化学剥离、酸性硅溶胶插入、再脱水转化为二氧化硅隔离的碳纳米片,最后用浓硫酸磺化生成硅胶隔离的生物质碳磺酸.TEM、STEM-EDS、BET、TGA和TMPO吸附31P MAS NMR表征结果表明,改变脱水温度可以调控硅胶隔离碳纳米片与其纳米粒子堆积状态,在250℃脱水条件下获得了具有松散颗粒堆积结构的二氧化硅高度隔离且非交联的碳纳米片,经磺化引入的磺酸基具有明显增强的热稳定性(其热分解温度比BCSA的高出23℃)和强于100%硫酸的超强酸性(90.4 ppm31P化学位移),并构建了丰富的分级狭缝孔(外表面积达211 m2/g,呈双孔分布),其驱动力主要来源于引入的磺酸基之间的强氢键相互作用.将构建的生物质固体超强酸应用于典型的酸催化已二酸与异辛醇酯化、异丁烯与甲醇醚化和羟丙基纤维素水解反应中,与普通生物质碳磺酸和商用Amberlyst-15相比,其催化活性和稳定性(重复使用性)具有突出优势.这归因于生物质固体超强酸具有优异的结构稳定性、高度暴露的超强酸性位以及丰富的介孔-大孔双通道.本文不仅为构建生物碳基固体超强酸提供了一种新的结构重组策略,而且克服了普通生物质碳磺酸在应用中存在结构稳定性差、酸强度和孔隙率不理想的缺陷.

氧化铝隔离涂层中添加硼化合物对镜面化取向电磁钢板磁性能的影响

以氧化铝为主成分的退火隔离剂添加硼化合物,该硼化合物在高温退火时发生分解,分解后的硼元素(B)侵入钢中起到辅助抑制剂的作用,又因为以氧化铝退火隔离剂在钢板表面上不形成镁橄榄石被膜,因此所添加的B侵入钢中的效率高。此外,添加Sn和Sb化合物易在钢板表面偏析,成为N逸出的壁垒,使AlN或(Al,Si)N等抑制剂在二次再结晶发生之前更稳定,从而提高了产品的磁性能。

应用阶段隔离式氧化沟技术进行二级处理及生物营养物深度去除

阶段隔离式氧化沟技术为丹麦克鲁格公司与丹麦工业大学联合研究开发的一种新型氧化沟技术。该技术将常规氧化沟工艺与序批式活性污泥法技术融为一体，从而使其既可满足二级处理要求，又能达到生物脱氮除磷目的。

应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究

介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。

新型集成电路隔离技术——STI隔离

集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代。论述了集成电路进入深亚微米时代后的STI(浅沟隔离)技术,指出了STI隔离工艺的主要特点、关键工艺及工艺实现方法。

钢板表面偏析元素Sn,Sb对取向电磁钢板二次再结晶的影响

为了改善铁损,开发了磁畴细化技术,但是玻璃被膜影响了磁畴运动,为此开发了不生成玻璃被膜且板面光滑的产品,隔离涂层是以氧化铝作为退火隔离剂,并且钢中添加Sn,Sb等板面偏析元素抑制N的逸出,保持了抑制剂强度,从而得到了磁性能优良取向电磁钢板。

超高频 1500MHz ECL前置固定分频器的研究

本文介绍了超高频1500MHz ECL前置固定分频器S1534的设计和研制。我们通过模拟实验确定单元电路结构,运用计算机SPICE程序确定各级电路的工作电流分配。在制作上,我们采用国内最先进的氧化物隔离第三代技术——氧化物隔离等平面S工艺和全离子注入工艺。本课题的研究实现了提高器件速度的目的,把我国“七五”时期的1000MHz ECL分频器性能提高到了1500MHz工作频率的新水平。

MEMS微波功率传感器的共面波导优化设计

归纳了目前存在的一些减小共面波导损耗的方法,用HFSS模拟了这些方法的插入损耗和回波损耗.根据微波功率传感器的特点选取了二氧化硅隔离层的结构来制作共面波导,指出了这种结构存在的缺陷,并运用半导体物理的知识解释了造成缺陷的原因,最后提出了改进结构并通过HFSS模拟证实了这些结构的正确性.从最终的结果来看,三种优化结构得到的插入损耗绝对值均减小到了0.6dB以下,回波损耗也降到了-30dB以下.

仿真研究NPT-IGBT器件的瞬态特性

绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关特性和短路特性),并探讨器件短路工作过程中的自升温效应。另外,在保证导通沟道长度不变的前提下,研究pin区与MOS区所占元胞尺寸比例k对IGBT通态电压与关断损耗折衷关系的影响,以及采用自对准工艺进行元胞设计对器件短路特性的影响。研究发现:合理设计氧化隔离层的尺寸能明显提高IGBT的抗短路能力,从而提高器件坚固性;比例系数k越大,通态损耗越低,而开关损耗越高,设计时需综合考虑通态电压和关断损耗的折衷。适当选取k值能完成最优化的器件设计。

埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响

通过模拟局部氧化隔离SOINMOSFET器件硅膜和埋氧界面处的应力分布随埋氧厚度的变化情况,分析其对硼杂质再分布的影响机制,得出SOI NMOSFET器件阈值电压对埋氧厚度的依赖关系.模拟结果表明,在原工艺流程完成后再进行一次退火处理,可以减弱应力对器件阈值电压的影响.

微波铁氧体器件的可靠性筛选

本文简要叙述了微波铁氧体器件(微带隔离器)可靠性筛选的作用、筛选条件、筛选结果,失效模式以及失效机理分析等,可供此类器件可靠性设计的参考与借鉴。