硅/氧浓度初始分布对硅晶圆内V-O_(2)对演变影响的仿真

为了揭示自间隙硅原子相对浓度和间隙氧原子相对浓度的初始分布状态对低温退火期间硅晶圆内V-O_(2)对介观演变的影响,应用原有相场仿真模型及其改进模型,仿真了两个不同的点缺陷相对浓度初始分布状态下退火的硅晶圆内V-O_(2)对演变过程.结果表明:在文章的仿真条件下,均匀分布的硅原子相对浓度未影响V-O_(2)对演变,这与不考虑硅原子存在的情况相同;与均匀分布状态相比,初始的氧原子相对浓度随机均匀分布状态使得V-O_(2)对生成速度减慢.

钼含量和均匀化处理冷却方式对β型Ti-Mo合金中点缺陷弛豫的影响

采用真空电弧熔炼制备β型Ti-xMo(x为质量分数/%,3~24)合金,并进行950℃×20 min均匀化处理,随后分别水冷和炉冷至室温,通过内耗测试结合物相和微观结构分析,研究了钼含量和冷却方式对该合金点缺陷弛豫的影响。结果表明:炉冷和水冷Ti-xMo合金中均出现2个Snoek型驰豫峰,炉冷Ti-xMo合金的弛豫峰随钼含量的变化特征与水冷合金相似。2种冷却方式下Ti-xMo合金在加热时的低温峰峰高随钼含量的增加而增大,但峰温几乎不变,峰高的增大与β相和间隙氧原子含量的增多有关;除Ti-3Mo合金外,其余合金高温峰的峰高和峰温都随钼含量增加而增大,峰高和峰温的增大与钼和氧的相互作用增强有关。

TD3合金氧化性能的第一性原理研究

采用第一性原理计算方法研究了TD3合金中O相、B2相和α2相的合金原子空位形成能及氧原子在三相中的能量稳定性和扩散行为。计算结果表明:三相中的Al原子空位形成能均低于Ti和Nb,有利于TD3合金表面生成α-Al_(2)O_(3)占主导地位的氧化膜。氧原子在O相、B2相和α2相的八面体间隙位置的间隙能低于四面体间隙位置处,且在富钛八面体间隙位置的间隙能最低,最低氧原子间隙能分别为–5.0815、–4.9425和–5.9315 eV。氧原子在O相、B2相和α2相沿最佳扩散路径扩散需要跨越的势垒分别为0.812、1.913和1.164 eV。