基于ZnO纳米线阵列的真空压强传感器

首先用化学气相沉积法制备了ZnO纳米线阵列,然后在此基础上制作了真空压强传感器。测试了基于ZnO纳米线阵列的真空压强传感器敏感特性,并与基于ZnO纳米带膜的传感器敏感特性做了比较,发现前者比后者敏感特性更好,相比传统的真空传感器,具有测量范围宽、灵敏度高和功耗低等优点。这主要是由于ZnO纳米线阵列具有较大的比表面积及氧吸附与解吸附等原因引起。