氧杂质致Ti-Si-N薄膜高硬度损失的机理

基于纳米复合Ti-Si-N薄膜硬度对界面相微结构及微尺度变化极为敏感的实验事实,定量表征了薄膜的硬度与氧杂质含量的关系.结果表明,与高纯度薄膜40-55 GPa高硬度比较,1%-1.5%的氧杂质含量导致薄膜的硬度下降到30 GPa左右.根据纳米晶界面原子模型和实验结果,氧杂质与纳米尺度界面交互作用所引发的微尺度缺陷是硬度下降的诱因,晶界面的氧杂质密度是薄膜高硬度损失程度的决定因素,单个纳米晶周围的氧杂质覆盖度达到10个原子以上时,薄膜的硬度只能达到30 GPa.

六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究(英文)

利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5nm的尖锐辐射峰,中心波长分别位于413nm和422nm处.同时,在近紫外区还有一个较宽的辐射带,随着温度升高,该辐射峰发生了明显的红移现象,其中心波长随温度线性变化.理论和实验分析表明,413nm辐射与AlN本身性质无关,而422nm辐射峰是与A1有关的两种本征缺陷所致.

立方氮化硼薄膜中的氧杂质

采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化硼薄膜中氧杂质的增加,其红外吸收谱的Lorentz拟合发现,在1230～1280cm-1附近出现由氧原子与硼原子结合形成的B-O键的反对称伸缩振动引起的吸收峰.该吸收峰的强度与薄膜中的氧杂质含量有较好的线性关系,因此可以通过分析该吸收峰的强度半定量地测定立方氮化硼薄膜中的氧杂质含量。

氧杂质对氟化铈闪烁晶体的有害影响

氧杂质对氟化铈闪烁晶体的有害影响陈刚任绍霞郑燕宁张春生李翠萍陈晓红（北京玻璃研究院，北京１０００６２）ＨａｒｍｆｕｌＥｆｆｅｃｔｏｆＯｘｙｇｅｎＩｍｐｕｒｉｔｙｏｎｔｈｅＣｅｒｉｕｍＦｌｕｏｒｉｄｅＳｃｉｎｔｉｌａｉｏｎＣｒｙｓｔａｌＣｈｅｎＧａｎｇ...

导流筒的底部结构对直拉单晶硅氧含量的影响

采用STR公司研发的专业晶体生长软件CGSim,对热场内的导流筒部件的底部结构进行优化。研究了导流筒底部的两个结构:一是导流筒底部水平结构长度(X值);二是导流筒底部结构倾斜长度(Y值)。研究结果表明,通过调整导流筒底部的结构,改变了熔体内的温度分布,增大了自由液面下方的对流强度,加快了氧杂质的挥发,降低了氧杂质传输分凝到晶棒的氧含量。结果表明,随着X值增加,生长界面的氧含量就越低;随着Y值增加,生长界面的氧含量无明显变化。由此得知,导流筒底部X值是影响晶棒生长界面氧含量的关键结构;而Y值对氧含量影响作用较弱。模拟结果显示,当X值为160 mm时,氧含量最大降低0.57 ppma。

氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响

研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。

氮、氧杂质对V_(40)Ti_(26)Cr_(26)Fe_(8)合金化学成分、微观组织和贮氢性能的影响

采用X射线衍射、扫描电子显微镜、光学显微镜和压力-成分-温度(PCT)等手段研究了氮、氧杂质对V-Ti-Cr-Fe合金微区化学成分、微观结构和贮氢能力的协同影响。V_(40)Ti_(26)Cr_(26)Fe_(8)合金的贮氢能力随着氮、氧杂质含量的增加而明显降低,主要作用机理如下:氧在V基合金中的溶解抑制了二氢化物相的形成,导致氢容量的降低(主要效应),而氮与钛结合形成了新的富氮钛相,导致了主相成分的变化和晶格参数的减小(二次效应)。

氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响

通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃，１．５ｈ后急冷热处理，研究了硅中氧、氮、磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响．实验结果表明，普通氩气氛下直拉单晶硅（ＡＣＺＳｉ）高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅（ＦＺＳｉ）的１／３左右．在含氮气氛下直拉硅（ＮＣＺＳｉ）中，氮含量为４．５×１０１５ｃｍ－３的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的１／３，重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多．

PVT方法下AlN烧结工艺坩埚盖处氧杂质沉积行为研究

AlN晶体中的氧杂质会严重影响晶体性能。因此,氧含量的控制一直是AlN晶体生长工艺中的热点和难点。为了减少AlN晶体中的氧杂质含量,通常在长晶之前使用粉料高温烧结工艺去除大部分的氧杂质。使用XRD及EGA等检测方法,对不同烧结工艺下AlN烧结过程中坩埚盖处的氧杂质沉积行为及其规律进行了对比研究。研究发现,使用低温(900~1 100℃)真空保温与1 500℃的氮气保护下保温相结合的方法可以极大促进氧杂质在坩埚盖处的前期沉积。在氮气保护环境下进一步提升烧结温度至2 000~2 100℃并经过一段时间的保温后,坩埚盖沉积物表面会出现黄褐色AlN结晶层,相应的检测结果表明此阶段坩埚盖处的氧杂质大量挥发,沉积过程已经基本结束。

基于高温HF/H_(2)法的YF_(3)∶Yb^(3+),Er^(3+)上转换发光性能增强研究

近年来,稀土材料因其独特的上转换光致发光特性备受关注。采用共沉淀法制备了掺杂Yb^(3+)和Er^(3+)的YF_(3)上转换发光材料。为了提高晶体结晶度和消除氧杂质的影响,采用500℃高温和HF/H_(2)气氛进行脱水除氧处理。通过X射线衍射(XRD)、氧分析仪、红外吸收光谱和荧光光谱等手段进行全面表征。结果表明:经过HF/H_(2)气氛高温脱氧处理的样品具有更高的结晶度和更优异的发光性能,表现出更高的量子产率。揭示了氧杂质对YF_(3)∶Yb^(3+),Er^(3+)上转换发光材料性能的负面影响,而采用高温HF/H_(2)气氛处理是提高发光性能的有效途径,为类似发光材料的研究提供了新思路。

用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性

用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏．在用ＰＭＣＺ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好．简单地讨论了ＰＭＣＺ法控氧优于普通ＭＣＺ法的机理．

氧对Zr-Cu-Ni-Al-Ti块体非晶合金热稳定性的影响

以结晶Zr棒及海绵Zr为原材料、利用浇包型坩埚电弧炉倾斜铸造法制备了不同氧杂质含量的Zr_(52．5)Cu_(17．9)Ni_(14．6)Al_(10)Ti_5块体非晶合金楔形试样,研究了氧对合金玻璃形成能力及热稳定性的影响,结果表明：氧杂质虽然降低合金以最大非晶形成厚度t_(max)为表征的玻璃形成能力,却提高合金以过冷液相区温度范围△T_(x1)为表征的热稳定性,氧杂质具有提高合金开始晶化表观激活能E_(ax1)的趋势。

直拉单晶炉中碳氧含量的研究

晶体硅中的杂质会显著的影响各种硅基器件的性能,本文分析了直拉单晶炉中碳、氧杂质的引入机制,研究了减少碳、氧杂质的措施,并且做了相应的分析。

氧对Vitreloy 105金属玻璃热稳定性的增强作用

通过构建TTT图及先析相析出动力学分析,研究氧对Vitreloy105合金热稳定性及玻璃形成能力(GFA)影响的"全景效应"。结果发现,由于先析相的变化,氧对合金热稳定性及GFA具有不同的影响:在连续冷却结晶过程中,氧致f.c.c.-Zr2Ni作为先析相时,氧降低合金的GFA;但是,在获得玻璃态后的重新加热晶化过程中,b.c.t.-Zr2Ni作为先析相时,氧具有抑制b.c.t.-Zr2Ni析出、提高合金热稳定性的作用。合金先析相的结构取决于结晶或晶化的动力学条件。

锗杂质对直拉单晶硅热施主和机械强度的影响

利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主的形成，降低热施主的形成速率和最大浓度，改善硅材料的内在质量，提高硅片的机械强度，以杂质量级掺入到硅中的Ge对提高硅材料的综合性能是有益的．

HPLC法同时测定盐酸帕洛诺司琼注射液中3种杂质的含量

目的:建立HPLC法测定盐酸帕洛诺司琼注射液中还原杂质、差向异构体、氮氧杂质等3种杂质含量的方法。方法:采用Inertsil ODS-3 C_(18)色谱柱(4.6 mm×250 mm,5μm),流动相为高氯酸钠缓冲液-乙腈(72∶28),检测波长为210 nm,柱温为30℃,流量为1.0 m L·min^(-1)。结果:在选定的色谱条件下,还原杂质、差向异构体、氮氧杂质可准确测定,方法学考察符合分析检测要求。结论:建立的方法灵敏度高,测定结果准确,可用于盐酸帕洛诺司琼注射液中3种杂质的含量测定。

杂质对NiAl金属间化合物结构及力学性能影响的研究

NiAl金属间化合物的室温脆性是阻碍其应用的关键问题之一。本文应用第一原理方法,系统研究了杂质氧对NiAl金属间化合物的结构和力学性能的影响规律。借此提出了抑制杂质有害效应的物理思路。

氧在钒中基本热力学行为的第一性原理研究

钒(V)是核聚变反应堆结构材料的重要候选材料。实验表明杂质氧(O)会对V的结构和力学性能产生极大的影响。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了O在V中热力学稳定性、扩散特性以及与缺陷空位的相互作用。O在V中易于占据八面体间隙位,其溶解能为-4.942 eV。O在间隙位的最佳扩散路径为八面体间隙位→四面体间隙位→八面体间隙位,扩散激活能为1.728 eV,在此基础上对不同温度下的扩散系数在文中给出了详细分析。O在V中与空位存在很强的吸引相互作用,1个O原子和2个O原子被空位捕获时的捕获能分别为-0.484 eV和-0.510 eV。当O原子的数量超过3,其捕获能变为正值0.382 eV,因此单空位最多能够结合2个O原子,这意味着"O_1-vacancy"和"O_2-vacancy"团簇在V中很容易形成。这些研究结果将对V基合金在核聚变反应堆中的最终应用具有一定的参考价值。

火法精炼铜杆杂质分布对性能的影响

介绍火法精炼铜杆工业化生产中,铜中杂质及氧的分布,采用现场生产试验的统计数据,研究铜中杂质分布对产品扭转性能等的影响。通过对成分、金相、能谱、电气、机械性能等试验的统计分析,找到合适的杂质分布与氧的精准配置工艺。