氧气压对激光淀积BaTiO_3薄膜晶体结构的影响

由于铁电薄膜的诱人应用前景,最近几年受到人们的极大关注。铁电氧化物薄膜可望用于多种微电子学和光子学器件,如:铁电存储器,电光调制器,红外探测器,光学二次谐波发生器以及超导铁电器件等。BaTiO_3薄膜是最重要的钙钛矿结构铁电薄膜之一,它具有优良的压电,铁电,热释电和非线性光学性质。所以,很多研究组都很重视BaTiO_3薄膜的生长机理和改进薄膜性能的研究。

氧气压对光学浮区法自旋梯子化合物Sr_(14-x)Ca_xCu_(24)O_(41)单晶制备和组分的影响(英文)

利用光学浮区法制备了自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24O41(SCCO)系列单晶样品,研究了氧气压对晶体生长的影响和制备条件对晶体性质的影响程度。发现在常压氧气氛下可以制备出Ca含量x小于8的大块高质量的SCCO晶体,但更高Ca含量的样品仍然必须在高压氧气氛下(0.9MPa)下进行。采用XRD,EDX能谱和电阻率测量实验手段对不同条件制备的SCCO单晶样品进行的分析测试表明,不同氧气压制备出的SCCO单晶样品的性质差别较小,但是高压氧气氛更有利于高Ca含量样品的晶体生长。

氧气管网采用煤气柜技术稳压节能效果分析

目前我国空分装置的氧气压缩输送系统的压力一般在1.7-2.9MPa之间波动,而用户要求的压力在1.5MPa左右。从稳定并降低氧气的输送压力的角度出发,提出一种利用煤气柜技术低压储存氧气的氧气输送系统,并评价了新系统的节能效果。

氧气分压对磁控溅射法制备ZAO膜的影响

利用直流磁控溅射技术在无机玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜。研究了溅射过程中氧气分压对ZAO薄膜的结构和光电特性的影响,结果表明当氧气分压为0Pa时,薄膜结晶度良好,具有最小电阻率和较高的可见光透过率。

氧气分压和热处理温度对制备玻璃基二氧化钛薄膜的表面形貌和光学性能的影响

用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜。溅射过程中,Ar气的分压保持在0.85Pa不变,而O2 的分压在0.10Pa^0.65Pa之间变化;镀膜试样在400℃～550℃之间进行热处理。用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的表面形貌、薄膜沉积速率和光学带隙宽度。结果表明,随着氧气分压从0.10Pa增加到0.65Pa,薄膜沉积速率从4.4nm/min下降到2.2nm/min,光学带隙从3.67eV下降到3.59eV,薄膜表面呈现出均匀的纳米晶粒和纳米孔;550℃热处理有助于较致密薄膜形成纳米晶粒和纳米孔,并降低带隙宽度。

氧气分压对反应溅射制备TiO_2薄膜带隙的影响

在不同的氧气分压下 ,用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2 薄膜试样 ,测试了试样的荧光发射光谱。结果表明 ,氧气分压为 0 35和 0 6 5Pa时 ,荧光光谱在 370 ,4 72和 5 14nm处出现发射峰 ;氧气分压为 0 10和 0 15Pa时 ,发射光谱峰出现在 370和 4 90nm处。试样带隙为 3 35eV。0 35和 0 6 5Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有两个分别低于导带底 0 72和 0 94eV的缺陷能级 ,0 10和 0 15Pa氧气分压下溅射的试样在带隙中有一个位于导带底 0 2 3和 1 2 9eV之间的缺陷能带 ;增加氧气分压 ,缺陷能带转变成两个缺陷能级 ,在 0 6 5Pa氧气分压下 ,缺陷能级几乎消失。

温度和氧气分压对FCC再生器中一氧化碳浓度的影响

在小型固定流化床烧焦实验数据的基础上,建立了CO累积速率模型,探讨了影响烟气中CO含量的内在因素。结果表明,在常压、650℃的条件下,氧气分压对碳燃烧速率的级数为0.91,对CO燃烧速率的级数为0.56,再生器中氧气分压对烟气中CO含量的影响比对烧焦速率的影响更敏感。在530℃烧焦时,烟气中CO含量出现极值;温度高于530℃时,随着温度的增加,烟气中CO含量减少。当待生剂上碳转化率达到50%时,烟气中CO含量最大。

载人航天器出舱活动氧气分压控制研究(英文)

载人航天器出舱活动期间氧气分压控制是保证航天员安全和完成出舱任务的重要因素。文章通过对出舱过程中引起氧气分压变化的因素分析,进行了出舱活动低压情况下的氧气分压安全限的试验验证研究,建立了出舱活动氧气分压变化趋势仿真模型,并在此基础上确定了出舱活动阶段舱压和氧气分压的调控方案。

氧气分压对AZO薄膜晶体结构和光学性能的影响

为了研究掺铝氧化锌(AZO)薄膜在制备过程中不同氧气分压下的晶体结构、表面形貌和光学性能的变化,采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃基片上沉积AZO薄膜。结果表明,当氧气分压为0.8 Pa时,AZO薄膜沿(002)面择优取向生长,具有最好的结晶质量,薄膜表面平整且结构致密,并且呈现出排列均匀的纳米晶粒。同时发现,随着氧气分压从0.2 Pa升高至8.0 Pa,AZO薄膜的紫外吸收边逐渐向长波方向移动。而在可见光范围内,氧气分压对AZO薄膜在可见光区透射率影响不大,透射率均在80%以上。

氧气调压站控制系统的优化

对氧气调压站控制系统出现的电缆信号故障原因进行了分析,通过优化控制系统网络结构,提高了氧气调压站运行的可靠性。

氧气调压站管道连接法兰泄漏处理

分析了氧压站管道法兰泄漏的原因，介绍了具体的处理方法及效果。

低氧分压下PtO_(2)的分解机理研究

高纯铂丝作为标准铂电阻温度计的传感元件,其氧化与分解机理是影响温度计稳定性的关键因素。采用差示量热扫描法与X射线光电子能谱共同分析了2种类型的铂氧化物PtO_(2)和PtO在低氧分压下的分解过程。结果表明:2种氧化物的分解温度对氧气分压有明显的依赖性,氧气分压10 kPa下,570℃时PtO_(2)基本完全分解为Pt单质和PtO;在氧分压为3 kPa下PtO_(2)的起始分解温度约为520℃,565℃以上大量分解为Pt单质,且当温度达到585℃时,PtO_(2)分解为Pt的速度达到最快。研究结果可为铂电阻温度计的制作工艺、计量检定规程的完善提供数据参考和理论支持。

杭州与拉萨地区大气中的氧气含量随海拔高度与季节的变化分析

文章通过已有的大气压、水汽压和气温的数据计算出杭州、拉萨两地区大气中的氧气分压和氧气分子数密度,作出1月和7月杭州地区的大气压、水汽压、气温、氧气分压、氧气分子数密度随海拔高度变化的曲线图,并对这些曲线的特点进行分析、比较与解释。对比拉萨、杭州这两地高空的相关大气数据,找出它们之间内在的联系与区别,并加以解释,发现同纬度地区高空的大气状况基本相同,尤其是大气压。根据杭州上空海拔3650m处的大气压及拉萨地表的气温推测出拉萨地表的其他大气状况,并将拉萨地表的大气与杭州上空的等高大气进行对比,发现它们总体接近。指出地形地貌对于大气的影响仅局限于地表附近,且该影响要小于季节、海拔对大气的影响。文末对文章的某些撰写思路进行了必要的解释。

低压热水锅炉的氧腐蚀及防止措施

分析了氧腐蚀对低压热水锅炉的危害、特点、易发生的部位;提出了在锅炉运行中防止氧腐蚀的措施,以及低压热水锅炉在停炉期间的防腐措施。

P-ITO膜成膜过程中O_2分压对ITO膜质的影响

文章研究了在实际生产过程中,真空磁控溅射设备下制备ITO膜时,高温成膜过程中环境中的氧气分压对ITO薄膜的光电特性的影响。P-ITO指的是结晶状态的ITO膜,在高温环境下ITO膜成膜工艺,也就是常说的高温成膜工艺,在成膜过程中结晶,通过调整成膜过程中O2的分压制备所需的ITO膜。

氧气呼吸器的现状及发展趋势

文章介绍了氧气呼吸器的发展历史和现状,进一步介绍了氧气呼吸器的分类方法,负压氧气呼吸器与正压氧气呼吸器的区别以及各自的优缺点,阐述了未来氧气呼吸器的发展趋势。

氧气放空阀阀内件改造及控制方式优化小结

呼伦贝尔金新化工有限公司36000 m^(3)/h空分装置氧气系统(主要供应BGL气化系统、Shell气化系统、甲烷蒸汽转化系统)氧气放空量由氧气放空阀(FV01339B)控制。前期运行过程中,因FV01339B阀内件磨损(内漏)而致氧气放空量增大,去煤气化系统的氧气量减少,影响生产任务的完成;此外,2016年Shell气化炉投运以后,当Shell气化炉煤烧嘴联锁跳车时,氧气放空不及时,引起氧气管网超压。分析认为,需对FV01339B阀内件进行改造,并优化FV01339B的流量控制方式。经多年来的持续优化改进,最终于2016年改造后取得了良好的成效,阀门磨损及内漏问题得以彻底解决,氧气管网超压的安全隐患也得以消除,保证了空分装置和Shell气化炉的安全、稳定运行。

脉冲激光沉积(PLD)法制备NiZn铁氧体多晶薄膜研究

采用脉冲激光沉积 (PLD)法分别在硅和玻璃基片上沉积了 Ni Zn铁氧体多晶薄膜。实验表明 :基片温度、氧气压以及热处理对薄膜的沉积速率。

催化湿式氧化法处理氨氮废水的研究

以过渡金属氧化物 Cu O为主活性组分通过对 Mn O2 的复合和掺入电子助剂 Ce O2 的考察 ,研制出适用于催化湿式氧化法处理氨氮废水的复合催化剂 .实验结果表明 ,新制备的复合催化剂氧化活性显著提高 ,并有效地抑制铜的溶出 .通过对氧气分压、反应温度和废水 p H等工艺条件的进行考察 ,由实验结果得出催化湿式氧化法处理氨氮废水的适宜工艺条件为 2 5 5℃ ,4.2 MPa和 p H=1 0 .8,在此条件下用自制催化剂处理初始浓度为 1 0 2 3mg/L氨氮废水 ,在 1 5 0 min内 ,NH3 - N的去除率达到 98% ,经处理后的废水达到国家二级 ( 5 0 mg/L)的排放标准 .

射频磁控溅射法制备SnO_2∶Sb透明导电薄膜的光电性能研究

采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜。利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试。讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值。当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70%,电阻率为2.5×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.2×1021cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2.V-1.s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求。