氧气压强对PLD制备MgZnO薄膜光学性质的影响(英文)

使用准分子脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。实验发现氧气压强对MgZnO薄膜的结构和光学性质有重要影响。当氧气压强由5 Pa增大到45 Pa时,薄膜的PL谱紫外峰蓝移了86meV,表明氧气压强的增大提高了MgZnO薄膜中Mg的溶解度。在15 Pa氧气压强下制备的薄膜显示了独特、均匀的六角纳米柱状结构,其PL谱展示了优异的发光特性,具有比其他制备条件下超强的紫外发射和微弱的可见发光。500600 nm范围内的绿光发射,我们讨论其机理可能源于深能级中与氧相关的缺陷。使用PLD得到纳米柱状结构表明：优化制备条件,可望使用PLD制备ZnO纳米阵列的外延衬底;可使用PLD技术开发基于ZnO纳米结构的高效发光器件。

氧气压强对Si基片上沉积YIG薄膜微观结构和磁性的影响

本文研究了氧气压强对用脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(100)基片上制备的YIG薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、震动样品磁强计(VSM)、铁磁共振仪(FMR)等检测了薄膜微观性能及磁性。研究发现:(1)在0.3Pa和1Pa下制备的YIG薄膜中没有杂相,而在4Pa和16Pa的薄膜中出现了YIP相;(2)薄膜的晶粒尺寸随氧压增大而减小;(3)在1Pa下制备得到的薄膜共振线宽最小,为91Oe;(4)薄膜饱和磁化强度(Ms)随氧压的增加而降低,1Pa下得到的薄膜的Ms为138Oe,最接近理论值。

氧气压强对脉冲激光沉积制备钡铁氧体薄膜磁性能的影响

六角钡铁氧体材料(BaFe12O19,BaM)被认为是最具应用潜力的下一代自偏置毫米波铁氧体材料。在本研究中采用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了厚度在200nm的钡铁氧体薄膜,其具有高的剩磁比和较低的铁磁共振线宽。在沉积过程中,氧气压强大小是十分关键的工艺参数。沉积得到的BaM薄膜具有高纯的相成分和高度的c轴取向;当氧气压为180mTorr时,薄膜表面粗糙度要优于氧压为90mTorr时的BaM表面粗糙度;磁滞回线测试测得薄膜呈现面外取向,具有较大的磁各向异性,矩形比为0.95,饱和磁化强度4πMs为3900 Oe。当沉积的氧气压降低,BaM薄膜易轴的矫顽力从3000 Oe增大到5000 Oe,回线的矩形度也略有降低。同时易轴的饱和场从5000 Oe增大到15000 Oe,表明氧气压的降低导致薄膜的磁各向异性大大降低;铁磁共振线宽测试得到在180mTorr氧气压下沉积得到的200nm的BaM薄膜的铁磁共振线宽为140 Oe(@10GHz)。

氧压强对Ga掺杂ZnO薄膜光电性质的影响

本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶硅(111)和石英玻璃衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)纳米薄膜,研究了氧压强对薄膜质量和光电性质的影响。采用XRD和SEM对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,结果表明纳米薄膜的平均粒径尺寸可以通过调整氧压强来控制,当氧压强为0.01 Pa时,薄膜的结晶质量最好。PL谱分析结果表明,反应气氛中适量的氧气可以有效降低缺陷密度,实现对GZO薄膜发光性质的调控。透射光谱分析结果显示,GZO薄膜在400~800 nm的平均光学透过率超过85%,具有良好的透光性能。霍尔测试结果表明氧压强为0.01 Pa时,GZO薄膜的电阻率最低为2.77×10^(-4)Ω·cm,随着氧压强继续增加,薄膜的电阻率增加,载流子浓度和霍尔迁移率均降低。

等离子体处理对PTT织物形状记忆效果的影响

探讨氧气等离子体处理对PTT织物形状记忆功能的改善效果。通过SEM分析了氧气等离子体处理前后纤维表面形貌的变化,并改变等离子体处理时间、反应功率及氧气压强,研究了各因素对织物记忆效果的影响关系。试验结果表明,氧气等离子体处理使得PTT纤维表面形成微细凹坑并产生凸状沉积物,增大了其表面粗糙度,使PTT形状记忆织物的记忆效果有了较大幅度的改善。