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掺氟汞系1223相的结构与超导电性
被引量:
1
1
作者
高孝恢
李洁
+1 位作者
肖慎修
陈天朗
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1999年第10期877-882,共6页
合成了掺氟汞基铜酸盐超导体 .研究证明氟进入了 1 2 2 3相 ,占据元胞中O( 3)的晶格位置 .掺氟烧结而不退火样品的超导临界温度Tc 为 1 33.8K ,比不掺氟烧结标准样品的Tc 提高约 2 2K ,显示氟掺杂能够使样品中载流子浓度nh 不经退火一...
合成了掺氟汞基铜酸盐超导体 .研究证明氟进入了 1 2 2 3相 ,占据元胞中O( 3)的晶格位置 .掺氟烧结而不退火样品的超导临界温度Tc 为 1 33.8K ,比不掺氟烧结标准样品的Tc 提高约 2 2K ,显示氟掺杂能够使样品中载流子浓度nh 不经退火一步接近最佳值 .F代O( 3)收缩了CuO2 面与电荷储存层间距离及氟的电负性比氧大是提高Tc 的主要原因 .
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关键词
汞基
氧氟铜酸盐
类钙钛矿
掺杂
超导体
1223相
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职称材料
题名
掺氟汞系1223相的结构与超导电性
被引量:
1
1
作者
高孝恢
李洁
肖慎修
陈天朗
机构
中南工业大学化学系
四川联合大学化学系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1999年第10期877-882,共6页
文摘
合成了掺氟汞基铜酸盐超导体 .研究证明氟进入了 1 2 2 3相 ,占据元胞中O( 3)的晶格位置 .掺氟烧结而不退火样品的超导临界温度Tc 为 1 33.8K ,比不掺氟烧结标准样品的Tc 提高约 2 2K ,显示氟掺杂能够使样品中载流子浓度nh 不经退火一步接近最佳值 .F代O( 3)收缩了CuO2 面与电荷储存层间距离及氟的电负性比氧大是提高Tc 的主要原因 .
关键词
汞基
氧氟铜酸盐
类钙钛矿
掺杂
超导体
1223相
Keywords
Hg based supercondutor, Quasi perovskite structure, Superconductivity, Doping fluoride
分类号
TM262 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺氟汞系1223相的结构与超导电性
高孝恢
李洁
肖慎修
陈天朗
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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