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注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响 被引量:1
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作者 张恩霞 钱聪 +5 位作者 张正选 王曦 张国强 李宁 郑中山 刘忠立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1269-1272,共4页
分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制... 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响. 展开更多
关键词 氧氮共注 SIMON SOI 离子
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注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究 被引量:1
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作者 张恩霞 孙佳胤 +6 位作者 易万兵 陈静 金波 陈猛 张正选 张国强 王曦 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第4期437-440,共4页
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离SOI(SIMON)圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好。机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质... 采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离SOI(SIMON)圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好。机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素。 展开更多
关键词 氧氮共注 膈离 SIMON SOI 入剂量
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