SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究

以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格。用剖面电子显微学（ＸＴＥＭ）对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）超晶格内存在的位错与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。

背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用

在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多孔硅层的微观结构,背面多孔硅层及其多孔硅层同硅衬底之间“树技状”的过渡区被认为是铜杂质有效的吸除中心。

21世纪的微电子材料——SOI材料

SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了体硅材料的不足,充分发挥了硅集成技术的潜力,因而它被称为是'21世纪的微电子材料'。

SIMOX大截面单模脊型光波导的研制

以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损耗小于0.6dB/cm。