中子和电子辐照Si中的氧相关缺陷研究进展

氧相关缺陷是中子和电子辐照Si中的重要缺陷。虽然对这些缺陷已经研究很多 ,如对空位 -氧 (V 0 )复合体即A中心已有大量研究报告发表 ,但是因为所用的材料、辐照通量、测量方法及测量仪器的精度不同 ,所报道的A中心的能级和退火行为特征包括退火温度不一致。由此 ,对氧相关缺陷的研究仍然是一个引人注目的课题。本文报告了这方面研究的一些新进展。中子辐照CZSi中有 82 8cm 1红外 (IR)峰 (A中心 ) ,2 0 0～ 30 0℃退火后强度增加 ,然后强度急剧下降 ,4 0 0℃后稳定 ,550℃退火消失。已将 2 0 0～ 30 0℃强度的增加归于X1中心的聚集 ,它与杂质 -缺陷团相关。 82 8cm 1IR峰在高于 4 0 0℃的稳定已归于无序区或大缺陷附近陷阱大量的A中心 ,这引起较大的结合能。我们的IR测量曾表明 ,在 6× 10 17中子 /cm2 (镉比为 12 .4 )辐照态CZSi中 ,82 9cm 1IR峰强度很大 ,～ 2 0 0℃退火后强度增加 ,350℃退火后强度急剧下降 ,～ 6 0 0℃退火消失。用正电子湮没技术测量了低温和室温不同电子通量辐照Si中的缺陷 ,发现一直存在着浅正电子陷阱 ,它在电子辐照CZSi中比在电子辐照FZSi中的浓度高 ,由此得出它含有 0 ,可能是辐照致A中心。辐照缺陷可以陷阱高浓度自由载流子 ,电阻率增加。已经用快中子辐照和IR技术测量确定?

Ge纳米结构的制备技术与发光特性研究进展

Si基纳米发光材料与器件的研究是目前半导体光电子技术领域中的一个活跃前沿.除了Si纳米晶粒、Si量子点和Si/SiO2超晶格等Si纳米结构之外,属于同族元素的Ge纳米结构也因其所具有的优异特性,而呈现出良好的发光性能.评述了Ge纳米结构的制备方法与发光特性在近年内取得的研究进展.

nc-Ge/SiO_2薄膜的光发射和光吸收研究

采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/SiO2薄膜材料。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大,发现经过1 000℃退火后的薄膜具有三个明显的纳米锗衍射峰。薄膜的傅里叶红外吸收谱表明,随着退火温度的升高,薄膜的红外吸收增强。室温下,测量了不同温度退火下薄膜的光致发光谱,观察到了紫外光、紫光和橙色光。而且不同退火温度的薄膜,其光致发光谱有所不同,理论上着重讨论了紫光和橙光的发光机制。