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光诱导纳米二氧化钛超亲水薄膜SPM图像分析和氧空位浓度理论探讨 被引量:3
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作者 曾人杰 林仲华 方智敏 《电化学》 CAS CSCD 2001年第4期413-420,共8页
选用典型的二氧化钛纳米超亲水薄膜 ,用扫描探针显微镜 (SPM )和电化学测试系统进行一般性的表征 .着重运用固体化学和纳米力学的原理 ,对SPM图像、氧空位浓度和超亲水性的机理进行理论分析 ;进一步解释了作者于 1999年底提出的 ,与润... 选用典型的二氧化钛纳米超亲水薄膜 ,用扫描探针显微镜 (SPM )和电化学测试系统进行一般性的表征 .着重运用固体化学和纳米力学的原理 ,对SPM图像、氧空位浓度和超亲水性的机理进行理论分析 ;进一步解释了作者于 1999年底提出的 ,与润湿性能有关的二氧化钛缺陷生成反应方程、普适表面物理模型、两憎 (amphiphobic) 展开更多
关键词 缺陷反应方程 物理模型 表面设计 超亲水薄膜 太阳能电池 纳米二化钛薄膜 SPM 表征 氧空位浓度
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锐钛矿高氧空位浓度F′色心吸收光谱的第一性原理研究
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作者 侯清玉 张跃 张涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期190-193,共4页
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法计算了3种模型高氧空位浓度不同的锐钛矿晶体的吸收谱带,发现产生F′色心,而不能产生F色心;锐钛矿高氧空位范围内浓度越高,光能量吸收越强;浓度不同的高氧空位锐钛矿形成不同的吸收谱带;锐钛矿晶... 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法计算了3种模型高氧空位浓度不同的锐钛矿晶体的吸收谱带,发现产生F′色心,而不能产生F色心;锐钛矿高氧空位范围内浓度越高,光能量吸收越强;浓度不同的高氧空位锐钛矿形成不同的吸收谱带;锐钛矿晶体的高氧空位浓度不同,F′色心引起的透射光不同,观察得到的颜色不同,和缺陷化学实验中得到的变化趋势相一致。 展开更多
关键词 锐钛矿 氧空位浓度 F’色心 吸收光谱 第一性原理
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二氧化锡中氧空位浓度与气敏性能关系的研究 被引量:2
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作者 龙洁 苏新梅 +2 位作者 夏定国 王道 沈云 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1997年第4期113-118,共6页
用氢气还原二氧化锡,通过控制还原时间得到不同氧空位浓度的二氧化锡气敏材料,对其进行了XRD、XWS和SEM分析及比表面测定,讨论了二氧化锡气敏材料的氧空位浓度与其气敏性能的关系,提出通过控制氧空位浓度可以达到提高二氧化锡气敏材料... 用氢气还原二氧化锡,通过控制还原时间得到不同氧空位浓度的二氧化锡气敏材料,对其进行了XRD、XWS和SEM分析及比表面测定,讨论了二氧化锡气敏材料的氧空位浓度与其气敏性能的关系,提出通过控制氧空位浓度可以达到提高二氧化锡气敏材料性能和其特性稳定的目的. 展开更多
关键词 化锡 氧空位浓度 气敏性能 气敏元件
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锐钛矿(TiO_2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算 被引量:8
4
作者 侯清玉 张跃 +2 位作者 陈粤 尚家香 谷景华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期438-442,共5页
基于低温重氧空位锐钛矿半导体的态密度计算,在同等条件下研究取不同大小模型的锐钛矿做适量浓度的氧空位存在,分别对进入导带的相对平均电子数和氧空位类杂质的散射迁移率进行计算,之后对电导率进行类比,发现锐钛矿半导体的导电性能对... 基于低温重氧空位锐钛矿半导体的态密度计算,在同等条件下研究取不同大小模型的锐钛矿做适量浓度的氧空位存在,分别对进入导带的相对平均电子数和氧空位类杂质的散射迁移率进行计算,之后对电导率进行类比,发现锐钛矿半导体的导电性能对适量浓度低的氧空位有利可行得到了证明.同时,低温重氧空位的条件下,锐钛矿半导体的电导率不仅与氧空位浓度有关,而且和进入导带的平均电子数有关,和氧空位散射的电子迁移率有关的正确结论. 展开更多
关键词 锐钛矿半导体 氧空位浓度 电导率 第一性原理计算
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高氧空位浓度对锐钛矿TiO_2莫特相变和光谱红移及电子寿命影响的第一性原理研究 被引量:13
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作者 侯清玉 张跃 张涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期1862-1866,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理研究,通过对锐钛矿TiO2高氧空位浓度、态密度图及吸收光谱图的分析,发现锐钛矿TiO2高氧空位浓度的条件下,高氧空位浓度对禁带变窄、吸收光谱红移和电子寿命都有很大的影响,从理论上进一步解释了高氧空位浓... 基于密度泛函理论的第一性原理研究,通过对锐钛矿TiO2高氧空位浓度、态密度图及吸收光谱图的分析,发现锐钛矿TiO2高氧空位浓度的条件下,高氧空位浓度对禁带变窄、吸收光谱红移和电子寿命都有很大的影响,从理论上进一步解释了高氧空位浓度对禁带变窄的原因.同时,锐钛矿半导体在高氧空位浓度时发生莫特相变和锐钛矿氧空位在等离子体中吸收光谱红移实验进行比较,发现锐钛矿TiO2应适量控制高氧空位浓度对吸收光谱红移好于前者.适量控制高氧空位浓度的锐钛矿TiO2对制备高氧空位浓度的可见光光催化剂提供了可靠的数据. 展开更多
关键词 锐钛矿 氧空位浓度 吸收光谱红移 第一性原理 光谱红移 电子寿命 光催化剂
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Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_(7-x)Mn_(x)O_(27)铋层状陶瓷的结构与电性能研究
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作者 涂娜 陈超 +1 位作者 陈云婧 江向平 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期21-26,共6页
采用固相法制备了Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_(7-x)Mn_(x)O_(27)(0≤x≤0.1)共生结构的铋层状陶瓷材料,通过Mn离子调控Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_(7-x)Mn_(x)O_(27)体系中的氧空位迁移和氧空位浓度的变化,研究了氧空位迁移和氧空位浓度对Na_(0.5)Bi_(... 采用固相法制备了Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_(7-x)Mn_(x)O_(27)(0≤x≤0.1)共生结构的铋层状陶瓷材料,通过Mn离子调控Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_(7-x)Mn_(x)O_(27)体系中的氧空位迁移和氧空位浓度的变化,研究了氧空位迁移和氧空位浓度对Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_(7-x)Mn_(x)O_(27)陶瓷材料的电性能的影响。研究发现所有样品均为单一的共生铋层状结构,无杂相生成。在掺入Mn的陶瓷样品中,Mn离子占据钙钛矿结构中的Ti离子的位置;在x≤0.06时,氧空位迁移速率降低,氧空位迁移对陶瓷的电学性能影响占主导优势,介电损耗和漏电流减小,压电常数不断增大。随着Mn含量逐渐增加,当x>0.06时,氧空位的浓度对电学性能的影响占主要优势,氧空位浓度不断增大,介电损耗和漏电流增大,压电常数降低。在x=0.06时,压电常数d 33为19.8 pC/N达到最大,此时介电损耗较低,综合电性能最优。 展开更多
关键词 Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_(7)O_(27) 氧空位浓度 空位迁移
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放电等离子烧结制备多元素共掺的Na_(0.52)Bi_(0.46)K_(0.02)Ti_(0.99)Mg_(0.01)O_(2.95)氧离子导体 被引量:1
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作者 李敏燕 贺婵 +2 位作者 王伟国 郝刚领 李先雨 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期46-51,共6页
分别采用放电等离子烧结和传统烧结方法制备Na_(0.52)Bi_(0.46)K_(0.02)Ti_(0.99)Mg_(0.01)O_(2.95)氧离子导体。交流阻抗测试结果显示,在543 K时,放电等离子烧结方法制备的试样的晶粒电导率为1.50×10^(-4) S/cm,是传统烧结方法制... 分别采用放电等离子烧结和传统烧结方法制备Na_(0.52)Bi_(0.46)K_(0.02)Ti_(0.99)Mg_(0.01)O_(2.95)氧离子导体。交流阻抗测试结果显示,在543 K时,放电等离子烧结方法制备的试样的晶粒电导率为1.50×10^(-4) S/cm,是传统烧结方法制备的试样在相同温度下晶粒电导率的2倍(7.50×10^(-5) S/cm)。借助于介电模量谱分析,放电等离子烧结制备的试样中具有更高的可动氧空位浓度和更好的氧空位迁移能力,从而导致了其晶粒电导率高于传统烧结方法制备的试样的晶粒电导率,这将为提高Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_(3)基氧离子导体的电学性能提供思路。 展开更多
关键词 放电等离子烧结 离子导体 电导率 可动氧空位浓度 空位迁移能力
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La^3+掺杂Na0.5Bi2.5Nb2O9陶瓷的结构和电学性能研究 被引量:2
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作者 陈子龙 江向平 +2 位作者 陈超 黄枭坤 江羽键 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2020年第3期350-355,共6页
采用传统固相法制备了(Na0.5Bi0.5)1-xLaxBi2Nb2O9(NBN-x La^3+,x=0.00,0.04,0.08,0.16,0.24,0.32,0.40)陶瓷,分析了稀土离子La^3+掺杂对Na0.5Bi2.5Nb2O9陶瓷的相结构、微观结构和电学性能的影响。XRD和拉曼结果表明La^3+成功进入NBN晶... 采用传统固相法制备了(Na0.5Bi0.5)1-xLaxBi2Nb2O9(NBN-x La^3+,x=0.00,0.04,0.08,0.16,0.24,0.32,0.40)陶瓷,分析了稀土离子La^3+掺杂对Na0.5Bi2.5Nb2O9陶瓷的相结构、微观结构和电学性能的影响。XRD和拉曼结果表明La^3+成功进入NBN晶格内部并减弱了结构的正交畸变。La^3+掺杂引起的结构变化和氧空位浓度的降低使得陶瓷样品更易于被极化,压电活性提升。当x=0.24时,陶瓷的电学性能达到最佳:Tc=647℃,εr=328,tanδ=1.09%,d33=22.8 p C/N,Qm=3259。NBN-0.24La^3+陶瓷压电常数d33在高温下表现出良好的温度稳定性,样品在500℃下退火2 h,压电常数d33仍能保持在20.3 p C/N,为初始值的89%。 展开更多
关键词 铋层状陶瓷 结构畸变 氧空位浓度 温度稳定性
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Sc对Al-3Cu-1Li合金酸性条件下腐蚀行为的影响 被引量:1
9
作者 邓佳诚 王赫男 李昊宸 《沈阳航空航天大学学报》 2020年第2期35-42,共8页
熔炼制备Al-3Cu-1Li-x Sc(x=0、0.1、0.3和0.5,wt%)合金,用原子发射光谱、X射线衍射和光学显微镜对其成分和显微组织进行测量和观察。在pH=2的硫酸溶液中,用电化学方法、X射线光电子能谱(XPS)和Mott-Schottky曲线研究Sc对该合金腐蚀行... 熔炼制备Al-3Cu-1Li-x Sc(x=0、0.1、0.3和0.5,wt%)合金,用原子发射光谱、X射线衍射和光学显微镜对其成分和显微组织进行测量和观察。在pH=2的硫酸溶液中,用电化学方法、X射线光电子能谱(XPS)和Mott-Schottky曲线研究Sc对该合金腐蚀行为和腐蚀产物膜的成分及内部缺陷的影响。结果表明:Sc未改变Al-3Cu-1Li合金的腐蚀机制和表面形成腐蚀产物膜具有的n型半导体特征;随Sc含量的增加,该合金自腐蚀电流密度增加,耐蚀性下降,与合金表面形成腐蚀产物膜的氧化程度降低及膜内氧空位浓度增加有关。 展开更多
关键词 Al-3Cu-1Li-xSc合金 电化学阻抗谱 Mott-Schottky曲线 氧空位浓度 X射线光电子能谱 SC
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Ba-Nd-Ti系微波介质陶瓷Q值的提高和方法机理
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作者 李文兴 《电子设计工程》 2013年第10期182-183,187,共3页
利用系介质陶瓷材料研制的微波元器件,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中,在理论分析和工艺试验的基础上,通过对介质陶瓷材料组分和控制温度工艺研究,优化BaO-Nd2O3-TiO2组分材料,改进煅烧温度等工艺方法,研制出性能稳定... 利用系介质陶瓷材料研制的微波元器件,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中,在理论分析和工艺试验的基础上,通过对介质陶瓷材料组分和控制温度工艺研究,优化BaO-Nd2O3-TiO2组分材料,改进煅烧温度等工艺方法,研制出性能稳定性介质陶瓷材料。为研制用于高频、超高频电子设备中性能稳定微波元器件找到了有效的途径。 展开更多
关键词 介质陶瓷材料 Q值 热处理温度 氧空位浓度
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Li含量对Al-Li合金在酸性NaCl水溶液中腐蚀行为的影响 被引量:1
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作者 王赫男 刘春忠 +2 位作者 鲁玲 栗仁山 林地 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1445-1450,共6页
真空熔炼制备1%和2%(质量分数)Li的Al-Li二元模型合金,研究Li含量对其在0.1mol/L NaCl+0.01mol/L酸性水溶液中电化学腐蚀行为的影响。采用自腐蚀电位和电化学阻抗(EIS)评价纯Al、Al-1Li和Al-2Li合金的耐蚀性能,结合X射线光电子能谱(XPS)... 真空熔炼制备1%和2%(质量分数)Li的Al-Li二元模型合金,研究Li含量对其在0.1mol/L NaCl+0.01mol/L酸性水溶液中电化学腐蚀行为的影响。采用自腐蚀电位和电化学阻抗(EIS)评价纯Al、Al-1Li和Al-2Li合金的耐蚀性能,结合X射线光电子能谱(XPS)和Mott-Schottky(M-S)曲线对3种试样表面腐蚀产物膜成分和半导体特征进行分析。结果表明:1%和2%Li使纯Al自腐蚀电位负移的同时,耐蚀性有所提高。合金元素Li参与腐蚀产物膜的形成,以Li_2O的形式掺杂于Al_2O_3为主要成分的腐蚀产物膜中,没有改变腐蚀产物膜的n型半导体特征;但Li_2O掺杂引起膜内氧空位浓度的降低,是Li提高纯Al耐蚀性的主要原因。 展开更多
关键词 AL-LI合金 耐蚀性 腐蚀产物膜 氧空位浓度
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