表面氧钝化碳化硅纳米团簇电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论（DFT）和广义梯度近似（GGA），对氧钝化条件下4H—SiC纳米团簇的电子结构和光学性质进行了研究。计算了不同直径的4H—SiC纳米球氧钝化后的能带结构、电子态密度和光学性质。团簇的尺度在0．4～0．9nm之间，构建表面仅存在硅氧双键和表面仅存在碳氧双键的两种模型。研究表明硅氧双键和碳氧双键所引起的缺陷态位于原4H—SiC的价带和导带之间，并且缺陷态与价带顶的能量差随纳米团簇颗粒直径的增大而减小；缺陷态主要是由Si原子外层电子和氧原子外层电子轨道杂化引起的。同时，由于氧的存在，对碳化硅的结构产生一定的影响，这也是缺陷态形成的一个原因。另外，碳氧双键和硅氧双键钝化对4H～SiC纳米团簇的光学性质有着不同的影响。在表面仅存在C=O的情况下，4H—SiC纳米团簇表现出各向同性的性质。在表面仅存在Si=O的情况下，4H—SiC纳米团簇表现出各向异性的性质。

氧钝化石墨纳米带电子和光学性质的第一性原理

采用第一性原理方法，研究了氧原子钝化的扶手椅型石墨纳米带的结构、电磁特性和光学性质．氧原子钝化的石墨纳米带比氢原子钝化稳定，显示出金属性质．自旋极化计算的能带和态密度研究表明，该纳米带反铁磁态比铁磁态稳定，表现为反铁磁半导体特征．由于边沿钝化的氧原子的影响，该系统的介电函数有明显的红移，且第一个介电峰主要由最高价带贡献．介电函数、折射系数、吸收系数及能量损失等的峰值与电子跃迁吸收有关．

干氧法钝化发射区改善硅太阳电池短波响应

干氧法钝化发射区改善硅太阳电池短波响应李健，金国，季秉厚，于光（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＩｍｐｒｏｖｉｎｇＳｈｏｒｔｗａｖｅＲｅｓｐｏｎｓｅｏｆＳｉＳｏｌａｒＣｅｌｌｂｙｔｈｅＤｒｙ－ＯｘｉｄｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＣｅ...

EDTA清洗中充氧钝化的电化学平衡

用电化学反应及 p H-pe平衡图分析了锅炉 EDTA清洗中充氧钝化的机理 。

多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究

本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为。分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果。

多孔硅量子点中的电子局域态

经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品,在650—780 nm处检测到很强的光致荧光(PL)峰,并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明,这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间长短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现,样品表面用Si O双键和Si—O—Si桥键钝化,能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面Si O双键和Si—O—Si桥键的密度,而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.