氮化处理对ITO薄膜光电特性影响

利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-vis-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,对比研究了两种氮化处理方法对ITO薄膜光电特性的影响。结果发现对于低温生长的薄膜,两种方法均能明显提高其在可见光区的透过率。氩气/氮气共溅射的方法会降低薄膜的结晶程度,降低载流子浓度,但使得其紫外/可见/近红外光谱发生明显红移;而热处理方法则能增加薄膜的结晶程度,提高其导电能力。

海底微生物燃料电池碳毡阴极氨气改性及其电化学性能

在不同温度(650℃、800℃、950℃)下对碳毡阴极进行氨气热处理,比较改性前后海底微生物燃料电池(MSMFCs)阴极的电化学性能.其中950℃改性阴极的电容密度(172.53 F/cm^2)是Blank组的3.03倍,交换电流密度是空白组的1.53倍,说明950℃氨气改性后阴极的抗极化能力更高;电荷转移电阻(34.09Ω)为Blank(90.96Ω)组的0.37倍,输出功率密度(569 mW/m^2)为Blank组(337 mW/m^2)的1.69倍.故950℃氨气处理碳毡阴极具有最佳的氧还原反应速率..