溅射氩分压对ITO透明导电薄膜光电特性的影响

用磁控溅射法在水冷 PPA聚脂胶片上制备了性能优良的 ITO透明导电膜。本文重点讨论了溅射氩分压对薄膜的结构和光电特性的影响 ,合适的氩分压为 0 .5 Pa,在此条件下 ,制备的薄膜最小电阻率为 4.6× 1 0 -4Ω· cm,相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 75 cm2 /( V· s) ,在可见光范围内相对透过率为 80 %左右 ,在红外区 ,薄膜的等离子共振吸收波长随着氩分压的减小而变短。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的 C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随氩分压的增大 ,[40 0 ]峰开始增强 ,[2 2 2 ]峰被削弱 ,薄膜呈现出混晶结构。 XPS谱分析表明随溅射分压的减小 ,薄膜中的氧空位浓度增大 。

溅射氩气压对TbFeCo薄膜磁和磁光性能的影响

研究了射频磁控溅射的溅射氩气压的变化对TbFeCo薄膜的磁和磁光特性的影响,以及不同溅射氩气压下TbFeCo薄膜退火后的特性。溅射氩气压的变化通过改变表面状态影响TbFeCo薄膜矫顽力和克尔角,另外,溅射氩气压的变化会影响被溅射原子轰击薄膜的速度,从而影响TbFeCo薄膜的垂直磁各向异性、矫顽力、磁光克尔效应。