发射光谱(OES)是对等离子体过程进行检测和诊断最常用的方法,利用等离子体发射光谱,在甲烷/H2/Ar和丙酮/H2/Ar两种碳源体系下,对热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜过程进行了等离子体原位在线测量,研究了两种碳源下等离子体内部各基团...发射光谱(OES)是对等离子体过程进行检测和诊断最常用的方法,利用等离子体发射光谱,在甲烷/H2/Ar和丙酮/H2/Ar两种碳源体系下,对热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜过程进行了等离子体原位在线测量,研究了两种碳源下等离子体内部各基团种类、强度的差异,以及气压对丙酮体系中各种基团的强度影响。结果表明,两种碳源下主要的基团种类基本相同,但基团谱线差异非常明显。丙酮体系中CH谱线最尖锐,并且无H2谱线,Ha随气压的增加而减小,其他基团均在3.5 k Pa附近出现最大值;CH4体系中Ha谱线强度最大,出现H2谱线;Ar基团在两个体系中出现谱峰所对应波长不一样,其中在丙酮系统中为433.36 nm,在CH4体系中为794.8 nm。展开更多
文摘发射光谱(OES)是对等离子体过程进行检测和诊断最常用的方法,利用等离子体发射光谱,在甲烷/H2/Ar和丙酮/H2/Ar两种碳源体系下,对热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜过程进行了等离子体原位在线测量,研究了两种碳源下等离子体内部各基团种类、强度的差异,以及气压对丙酮体系中各种基团的强度影响。结果表明,两种碳源下主要的基团种类基本相同,但基团谱线差异非常明显。丙酮体系中CH谱线最尖锐,并且无H2谱线,Ha随气压的增加而减小,其他基团均在3.5 k Pa附近出现最大值;CH4体系中Ha谱线强度最大,出现H2谱线;Ar基团在两个体系中出现谱峰所对应波长不一样,其中在丙酮系统中为433.36 nm,在CH4体系中为794.8 nm。