线列熔融石英微透镜阵列的光刻和氩离子束刻蚀制备

采用光刻和熔融成形法制备线列长方形供面光致抗蚀剂微透镜图形，采用固化技术对其作重整化处理，采用氩离子（Ar＋）束刻蚀有效地实现线列长方形拱面光致抗蚀剂微透镜图形阵列向熔融石英（SiO2）基片上转移。所制单元熔融石英微透镜底部的外形尺寸为300×95μm2，平均冠高14．3μm，平均曲率半径为86μm，平均焦距为258．1μm平均F／数2.7,平均大T／数2．9；平均光焦度5．8×10(－3)折光度。扫描电子显微镜（SEM）和表面探针测试表明，所制成的线列熔融石英微透镜阵列的图形整齐均匀，每个单元长方形拱面熔融石英微透镜的轮廓清晰，表面光滑平整。实验结果证实，光刻／氩离子束刻蚀技术适用于制备具有良好的均匀性和光学质量的单片熔融石英微透镜阵列器件，此技术对于制备与大面阵凝视焦平面成像探测器相匹配的大面降微透镜阵列具有重要意义。

128×128元硅场发射阵列的氩离子束刻蚀制作

利用光刻及氩离子束刻蚀制作面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜和表面探针等分析所制样品的表面微结构形貌，定性讨论了刻蚀用氩离子束的能量及光致抗蚀剂掩模图形的厚度变化时所制成的面阵器件的形貌变化特点．

凹型Si微透镜阵列的制作

提出了一种新的曲率倒易法首次成功地在Si衬底上制作出 6 4× 2 5 6凹柱面折射微透镜阵列 ,扫描电子显微镜 (SEM)显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹柱面阵列 ,表面探针测试结果显示凹微透镜阵列表面光滑、单元重复性好 ,其平均凹深为 2 .6 43μm ,凹深非均匀性为 8.45 % ,平均焦距为 - 47.0 8μm .

石英微透镜阵列的制作研究

叙述了采用氩离子束刻蚀的方法制作线列长方形拱面石英微透镜阵列．所制单元石英微透镜底部的外形尺寸为（300×106）um2，平均冠高7．07μm，平均曲率半径202．19μm，平均焦距404．38μm，平均F2数为3．82，平均光焦度2．47×103屈光度，扫描电子显微镜和表面探针测试表明，所制线列石英微透镜阵列的图形整齐均匀，单元长方形拱面石英微透镜的轮廓清晰，表面光滑平整．所制微透镜阵列用于高Tc超导红外探测器阵列的实验证实，微透镜的引入可以显著改善超导探测器的光响应特性．

PtSiIRCCD器件用长焦距Si微透镜阵列的制作研究(英文)

为了改善 Pt Si IRCCD器件的红外响应特性 ,需要添加长焦距微透镜阵列进行焦平面集光 ,本文提出了一种新的方法—曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作 .扫描电子显微镜 (SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜阵列表面光滑 ,单元重复性好 ,其焦距可达到 685.51 μm.微透镜阵列器件与 Pt Si IRCCD器件在红外显微镜下对准胶合 ,显著改善了 IRCCD器件的光响应特性 .

微细加工技术与设备

TN305 2000010690线列熔融石英微透镜阵列的光刻和氩离子束刻蚀制备=Fabrication of linear fused quartz microlensarray using photolithography and ar ion beametching[刊,中]/张新宇,易新建,赵兴荣,麦志洪,何苗（华中理工大学光电子工程系.湖北,武汉（430074））,刘鲁勤（航天部2院25所.北京（100584））//量子电子学报.—1998,15（1）.—66-73采用光刻和熔融成形法制备线列长方形拱面光致抗蚀剂微透镜图形,采用固化技术对其作重整化处理,采用氩离子（Ar+）束刻蚀有效地实现线列长方形拱面光致抗蚀剂微透镜图形阵列向熔融石英（SiO2）基片上转移。实验结果证实,光刻/氩离子束刻蚀技术适用于制备具有良好的均匀性和光学质量的单片熔融石英微透镜阵列器件,此技术对于制备与大面阵凝视焦平面成像探测器相匹配的大面阵微透镜阵列具有重要意义。图10参5（于晓光）

128×128凹型GaAs微透镜阵列器件的制作研究

提出了一种制作 12 8× 12 8球冠型GaAs凹折射微透镜阵列新的方法———曲率倒易法。扫描电子显微镜(SEM )显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹球冠面阵列 ,表面探针测试结果显示阵列表面光滑、单元重复性好 ,其凹深为 1 2 6 8μm ,焦距为 - 35 2 0 4μm。