氩离子注入介导麻黄基因组DNA转化获得产麻黄碱重组酵母菌

通过氩离子(Ar+)注入介导蓝麻黄基因组DNA在异常汉逊酵母(Hansenula anomala)中随机转化,转化后的酵母菌经BTB指示性辅助筛选、斜面传代、液体培养、铜铬盐定性检识和RP-HPLC定量检测,获得了遗传稳定的以葡萄糖为碳源、NaNO3为氮源生物合成麻黄碱和(或)伪麻黄碱的重组酵母菌3株。液体培养72h,RP-HPLC测试胞外麻黄碱和伪麻黄碱的最高产量分别为11.87mg/L和4.11mg/L;胞内伪麻黄碱最高含量为294.86mg/g干细胞,胞内麻黄碱未检出。分析了Ar+注入介导蓝麻黄基因组DNA在酵母菌中的遗传转化效率,探讨了麻黄基因组DNA大分子的完整性对其在酵母菌中遗传转化的影响。

氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究

通过离子注入技术对单晶硅表面进行氩离子注入处理,利用纳米压痕仪及其附件研究了单晶硅表面在离子注入前,后的微观力学性能和变形机理,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构.研究结果表明:一定剂量的氩离子注入使单晶硅表面的断裂韧性得到改善, 提高了其在纳米划痕过程中的失效负荷.原因是氩离子的注入使单晶硅表面形成了硅的微晶态与非晶态共存的混合态结构的改性层,改善了单晶硅的微观力学性能.

氩离子注入介导甘草总DNA在阿尔冈金紫花苜蓿中转化的初步研究

氩离子注入介导乌拉尔甘草总DNA在阿尔冈金紫花苜蓿中转化,对苜蓿正常生长和发育产生了显著的生物学效应。转基因苜蓿T1代的结实率仅有13.33%,其中发育正常的种子比例为43.75%。对种子发育良好的苜蓿T1代7个单株的根茎分别进行了天然产物的定性检识,结果表明:1个单株的根中含有皂苷类物质。

低能氩离子注入对甜瓜种子发芽及幼苗某些生理生化指标的影响

以能量25keV、不同剂量Ar+离子注入甜瓜种子,其发芽率均有所降低,且可不同程度提高O-2·产生速率和H2O2含量,同时过氧化物酶(POD)、过氧化氢酶(CAT)和超氧化物歧化酶(SOD)活性增加,膜脂过氧化产物丙二醛(MDA)含量下降;剂量过大时,CAT、SOD活性下降,MDA含量上升。

低能氩离子注入对甜瓜幼苗抗氧化系统的影响

就低能氩离子注入对甜瓜幼苗抗氧化系统的影响进行研究,使用不同剂量的离子注入甜瓜种子,结果表明,不同剂量离子注入后伽师瓜、皇后品种的超氧化物歧化酶(SOD)分别在5×1016Ar+/cm2、4×1016Ar+/cm2剂量时酶活性最大,之后下降。抗坏血酸过氧化物酶(ASP)的活性的变化趋势与超氧化物歧化酶相似,分别在6×1016Ar+/cm2、4×1016Ar+/cm2剂量时酶活性最大。抗坏血酸和类黄酮的含量都有不同程度的上升,说明离子注入能诱导甜瓜幼苗抗氧化系统的生物合成。

氩离子注入介导甘草总DNA在大叶紫花苜蓿中转化的初步研究

氩离子注入介导乌拉尔甘草总DNA在和田大叶紫花苜蓿中转化,对苜蓿正常生长和发育产生了显著的生物学效应。转基因苜蓿T 1代的结实率仅有11.66%,其中发育正常的种子比例为64.29%。对种子发育良好的苜蓿T 1代9个单株的根茎分别进行了天然产物的定性检识,结果表明,2个单株的根中含有皂苷类物质。用X射线衍射仪对2个处理的转基因苜蓿进行扫描,结果表明,一种图谱经寻峰处理后,d值相对偏差最大为0.67,大于本实验误差允许范围0.02,说明样品微观结构或成份发生了变化。提取并测定了转基因苜蓿与对照组茎和根中的多糖含量,结果表明,转基因苜蓿茎和根中多糖含量分别为0.890%和4.815%,对照组苜蓿多糖含量分别为1.064%和4.882%,说明转入甘草总DNA的苜蓿多糖的含量均有所降低。

氩离子注入对北方粳稻过氧化物酶活性的影响

对6个剂量氩离子处理条件下北方粳稻根系过氧化物酶(POD)活性和POD同工酶聚丙烯酰胺凝胶电泳分析表明:不同水稻品种间有辐射敏感性差异。随氩离子诱变剂量的增加,3个水稻品种根系POD活性的值都明显高于对照,在3000剂量时的POD值最大。在处理剂量范围内,POD活性随剂量的变化表现出先升后降的变化规律,且有一定的波动性。而且农大7各处理酶谱活性差别最大,秋田小町和农大13酶谱差别较小,但在3000系数剂量下酶带有不同程度加深的趋势。

氩离子对两种嘧啶碱基的损伤效应研究

对 2 5ke V的氩离子束辐照两种嘧啶碱基 (胞嘧啶 ,胸腺嘧啶 )引起它们分子结构的变化进行了研究 ,通过紫外光谱的分析 ,得到了氩离子注入后两种嘧啶碱基的残余紫外吸收曲线 ;富里叶红外光谱仪的分析 ,说明两种嘧啶碱基各受到了一定程度的损伤使得红外吸收出现不同程度的减弱 ;茚三酮反应的测定证明了辐照后的样品中出现了新的化学成分伯胺类物质。

氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察

本工作用高分辨显微术观察氩注入砷化镓中的精细结构，由于注入惰性气体所产生的高压泡压迫泡周围点阵收缩所产生的压应变可用来缓解表面层张应变，本文将探讨选用注氩为ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ功能材料减少界面应变的可能性。