高剂量Ar离子辐照Si缺陷产生及其退火行为EPR研究

１１２ＭｅＶＡｒ离子在５０Ｋ以下的低温辐照Ｓｉ到８Ｘ１０／ｃｍ剂量，室温下采用电子顺磁共振技术分析了由辐照引起的缺陷产生及其退火行为，结果表嵜鳎海粒蚶胱臃赵冢樱橹幸鹆酥行运目瘴唬ǎ樱椋校承模⒋绾傻模ǎ保埃埃┡训乃湎蹲樱ǎ樱椋校缎模┮约傲姆蔷Р悖持秩毕莸男纬伞Ｔ冢玻埃啊娴耐嘶鹞露龋瑣Ｓｉ－Ｐ３心和Ｓｉ－Ｐ６心消失，这时带负电荷的五空位（Ｓｉ－Ｐ１心）开始生长，Ｓｉ－Ｐ１心可以保持到５５０℃左右的退火温度。在３５０℃时，可以明显地观测到另一个含有更多空位的顺磁缺陷心（Ｓｉ－Ａ１１心）．连续非晶层的再结晶需要６００℃以上的温嵍龋⑶以谡鐾嘶鸸讨校蔷炒殴舱裣叩南咝秃拖呖肀３植槐洹６ㄐ缘靥謲论了结果。