用氩谱线的斯达克宽度来表征ICP的电子密度

以相同条件下测量的△λｓ（Ｈ）４８６．１３３ｎｍ为基础，得到了用氩谱线的△λｓ（Ａｒ）与ＩＣＰ中ｎｅ的对应关系。适应于任何进样条件下电子密度的测量，具有广泛的实际应用意义。

低功率氩微波等离子体炬中Ar和一些分子组分的发射特性

对低功率氩微波等离子体炬中Ａｒ和一些分子组分的发射特性进行了研究。详细考察了Ａｒ谱线和一些分子谱带的大时强度随观测高度的变化及微波前向功率、载气流量等因素对ＯＨ，ＮＨ和Ｎ＿２带强度的影响。

氩原子谱线跃迁几率的激波管研究

本文在激波管中测量了中性氩原子455.4319 nm谱线的跃迁几率.并介绍了一般的测量原理和方法.为进行有关的计算,通过自编程序,在IBM—PC微机上计算了激波管中入射激波和反射激波后气体的平衡组分、热力学量和激波参数.实验结果与其他测量结果进行了比较.