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直拉硅单晶中氮关新施主的研究
1
作者
张溪文
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期574-578,共5页
研究了微氮硅单晶在600~900℃温区的新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要影响.明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主NND,其热处理行为类似于普通新施主,但形成...
研究了微氮硅单晶在600~900℃温区的新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要影响.明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主NND,其热处理行为类似于普通新施主,但形成特性受氮杂质的较大影响.
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关键词
直拉硅单晶
硅单晶
硅材料
氮关新施主
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职称材料
题名
直拉硅单晶中氮关新施主的研究
1
作者
张溪文
阙端麟
机构
硅材料科学国家重点实验室
浙江大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期574-578,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
研究了微氮硅单晶在600~900℃温区的新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要影响.明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主NND,其热处理行为类似于普通新施主,但形成特性受氮杂质的较大影响.
关键词
直拉硅单晶
硅单晶
硅材料
氮关新施主
Keywords
Impurities
Nitrogen
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直拉硅单晶中氮关新施主的研究
张溪文
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
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